公开(公告)号：CN104465568B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201410492487.X

申请日：2014-09-24

申请人： 英特尔公司

发明人： R.马恩科普夫 ,  W.莫尔泽 ,  B.梅姆勒 ,  E.戈伊茨 ,  H-J.巴思 ,  S.阿伯斯 ,  T.梅耶

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/074 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

摘要： 本描述的实施例包含嵌入在微电子基底中的堆叠式微电子管芯及其制造方法。在一个实施例中，至少一个第一微电子管芯附连到第二微电子管芯，其中在第二微电子管芯与所述至少一个第一微电子管芯之间提供底部填充材料。然后通过在基底材料中层压第一微电子管芯和第二微电子管芯来形成微电子基底。

公开(公告)号：CN104637904B

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201410025291.X

申请日：2014-01-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴胜郁 ,  郭庭豪 ,  陈承先

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/528 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/3841 ,  H05K1/111 ,  H05K2201/09727 ,  H05K2201/10674 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种封装件包括第一封装组件和第二封装组件。第一封装组件包括位于第一封装组件的表面处的第一金属导线和第二金属导线。第二金属导线平行于第一金属导线。第二金属导线包括具有第一宽度的窄金属导线部分和具有大于第一宽度的第二宽度的宽金属导线部分，宽金属导线部分连接至窄金属导线部分。第二封装组件位于第一封装组件的上方。第二封装组件包括与第一金属导线的一部分重叠的金属凸块、以及将金属凸块接合至第一金属导线的导电连接件。导电连接件与第一金属导线的顶面和侧壁相接触。金属凸块邻近窄金属导线部分。本发明还公开了用于增大凸块与导线距离的导线上凸块设计。

公开(公告)号：CN103377956B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310129982.X

申请日：2013-04-15

申请人： 亚太优势微系统股份有限公司

发明人： 殷宏林 ,  谢哲伟 ,  林立元

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49866 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76251 ,  H01L23/10 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/27614 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/32148 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48148 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/95 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明提供一种基材的接合方法，包含：首先提供一第一基材和一第二基材，其中一第一银层覆盖第一基材之表面，一第二银层覆盖第二基材之表面以及一金属层覆盖第二银层，其中金属层包含一第一锡层，接着进行一接合制程，将第一基材与第二基材对准，使得金属层和第一银层接触，并且施加负载并加热至一预定温度以生成Ag3Sn金属间化合物，最后降温并移除负载，完成接合制程。本发明的有益效果是改良接合晶圆之质量，使技术能实际应用于产品量产之上。

公开(公告)号：CN103620771B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201280029535.0

申请日：2012-09-25

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 横山贤司 ,  川端毅 ,  萩原清己

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/00 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/585 ,  H01L24/05 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14134 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/1713 ,  H01L2224/17136 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

摘要： 半导体装置(10)具备：扩展型半导体芯片(20)，其包括第1半导体芯片(11)及被设置为从其侧面向外扩展的扩展部(21)；和第2半导体芯片(12)，其经由多个凸起(14)而与扩展型半导体芯片连接，并且与第1半导体芯片(11)电连接。第1半导体芯片(11)比第2半导体芯片(12)小。在扩展部(21)设置有至少1个外部端子。

公开(公告)号：CN103035618B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201210032013.8

申请日：2012-02-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林俊成 ,  蔡柏豪

IPC分类号： H01L23/544

CPC分类号： H01L22/32 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13566 ,  H01L2224/13578 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 一种工件，包括：第一含铜柱，该第一含铜柱具有顶面和侧壁；第一保护层，该第一保护层位于第一含铜柱的侧壁上而不位于第一含铜柱的顶面上方；测试焊盘，该测试焊盘包括第二含铜柱，该第二含铜柱具有顶面和侧壁，该测试焊盘电连接至第一含铜柱；以及第二保护层，该第二保护层被设置在第二含铜柱的侧壁上，而不设置在第二含铜柱的顶面上方，第一保护层和第二保护层包含铜和聚合物的化合物，并且是介电层。本发明还提供了用于3DIC测试的结构设计。

公开(公告)号：CN102881666B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201210295014.1

申请日：2012-08-17

申请人： 香港应用科技研究院有限公司

发明人： 徐逸杰 ,  杨丹 ,  罗佩璁

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L27/146 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/1183 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16106 ,  H01L2224/16108 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16157 ,  H01L2224/16168 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92222 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/19 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种晶圆级封装的半导体器件，整个封装器件形成后才分离成单个器件。该半导体器件封装包括半导体芯片，有一个或多个焊盘与该芯片连接，还有一保护层连接在该半导体芯片之上。至少在半导体芯片的侧边缘和底表面上有一隔离层。有互连金属化凸点靠近该半导体芯片的一个或多个侧边缘，并电连接到至少一个焊盘上。一个小型化的图像传感器可以和数字信号处理器和存储器芯片以及透镜和保护盖垂直集成在一起。

公开(公告)号：CN104603640A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201480001837.6

申请日：2014-09-04

申请人： 皇家飞利浦有限公司

发明人： N·J·A·范费恩 ,  R·戈申 ,  D·约格夫 ,  A·利夫内

IPC分类号： G01T1/24

CPC分类号： H01L27/14634 ,  H01L24/09 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L25/042 ,  H01L25/043 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14661 ,  H01L27/14663 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/091 ,  H01L2224/09165 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/16506 ,  H01L2224/171 ,  H01L2224/81047 ,  H01L2224/81224 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明总体上涉及一种辐射探测器元件，其中，光电二极管通过至少一个包括两个熔合的焊球的连接被横向地固定到探测器元件基板，其中，所述两个熔合的焊球中的第一个接触所述光电二极管，并且所述两个熔合的焊球中的第二个接触所述探测器元件基板。本发明还涉及一种横向地附接两个基板，具体为构造上述辐射探测器元件的方法。本发明还涉及包括至少一个辐射探测器元件的成像系统。

公开(公告)号：CN104465568A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410492487.X

申请日：2014-09-24

申请人： 英特尔公司

发明人： R.马恩科普夫 ,  W.莫尔泽 ,  B.梅姆勒 ,  E.戈伊茨 ,  H-J.巴思 ,  S.阿伯斯 ,  T.梅耶

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/074 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

摘要： 本描述的实施例包含嵌入在微电子基底中的堆叠式微电子管芯及其制造方法。在一个实施例中，至少一个第一微电子管芯附连到第二微电子管芯，其中在第二微电子管芯与所述至少一个第一微电子管芯之间提供底部填充材料。然后通过在基底材料中层压第一微电子管芯和第二微电子管芯来形成微电子基底。

公开(公告)号：CN102280423B

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201110025101.0

申请日：2011-01-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林俊成 ,  黄雅希 ,  陈新瑜 ,  蔡柏豪 ,  林彦甫 ,  黄震麟 ,  蔡方文 ,  邱文智

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/488 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13578 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/81805

摘要： 本发明公开了一种集成电路装置及其制造方法。本发明的集成电路装置的工作件(work？piece)包括具有上表面和侧壁的铜凸块。在铜凸块的侧壁上形成保护层，但其上表面没有保护层。保护层包括铜的化合物和聚合物，且为介电层。本发明提供的集成电路装置及其制造方法，在裸片对晶片接合工艺中，即使工作件的温度高时，保护层也可避免铜凸块的氧化。

公开(公告)号：CN103718286A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280037713.4

申请日：2012-06-01

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： J·A·韦斯特

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/563 ,  H01L23/481 ,  H01L23/562 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13566 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/13671 ,  H01L2224/13673 ,  H01L2224/13681 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/1613 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01074

摘要： 本发明公开了一种保护贯穿衬底通孔(TSV)管芯不受键合损坏的方法(100)，该方法包括提供包含多个TSV管芯的衬底，该TSV管芯具有包含有源电路的顶侧、底侧和多个TSV。TSV包括从顶侧伸到从底侧延申出的凸出TSV末端的内部金属芯(101)。在所述底侧上包括在所述凸出TSV管芯之间和之上形成或施加保护层(102)。TSV管芯随着底侧向上与键合头接触而被顶侧向下键合到具有工件表面的工件上(104)。保护层通过防止键合头直接接触凸出TSV末端来减少键合工艺引起的损坏，该损坏包括TSV管芯翘曲。