公开(公告)号：CN103050461A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210192147.6

申请日：2012-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁世纬 ,  陈宪伟 ,  陈英儒 ,  于宗源 ,  李明机

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/525 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/02235 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0226 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81413 ,  H01L2224/81416 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括：依次形成在半导体衬底上的钝化层、第一保护层、互连层、以及第二保护层。互连层具有暴露部分，在该暴露部分上形成有阻挡层和焊料凸块。钝化层、第一保护层、互连层和第二保护层中的至少一层包括形成在导电焊盘区域之外的区域中的至少一个槽状件。本发明提供了钝化后互连结构。

公开(公告)号：CN103000593A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210190004.1

申请日：2012-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志伟 ,  郑明达 ,  吕文雄 ,  林修任 ,  张博平 ,  刘重希 ,  李明机 ,  余振华 ,  陈孟泽 ,  林俊成 ,  蔡钰芃 ,  黄贵伟 ,  林威宏

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/52 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06515 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15322 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了用于半导体器件的封装方法和结构。在一个实施例中，封装的半导体器件包括再分布层(RDL)，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。至少一个集成电路连接至RDL的第一表面，以及多个金属凸块连接至RDL的第二表面。模塑料被设置在至少一个集成电路和RDL的第一表面的上方。

公开(公告)号：CN102867757A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201110340122.1

申请日：2011-11-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 雷弋易 ,  郭宏瑞 ,  刘重希 ,  李明机 ,  余振华

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/03632 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种方法，包括形成衬底上方的凸块下金属(UBM)层以及形成UBM层上方的掩模。该掩模覆盖UBM层的第一部分，而UBM层的第二部分通过掩模中的开口暴露。在开口中和UBM层的第二部分上形成了金属凸块。然后，去除掩模。执行激光去除来去除UBM层的第一部分的部分并且形成UBM。本发明还公开了一种用于去除底切的UMB蚀刻方法。

公开(公告)号：CN102347319A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201010558951.2

申请日：2010-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨宗颖 ,  史朝文 ,  蔡豪益 ,  陈宪伟 ,  李明机 ,  刘醇鸿

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/5385 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种半导体装置，包含封装基板，该封装基板包含一延伸至该封装基板顶面上的第一非回焊金属凸块，一位于该封装基板上，且通过多个第一焊接凸块接合至该封装基板的裸片，一位于此裸片上且接合至上述封装基板的封装组件。此封装组件包含一延伸至上述封装基板底面下的第二非回焊金属凸块。上述封装组件大体上是择自由一装置裸片、一额外封装基板及其组合所组成的族群。一焊接凸块将第一非回焊金属凸块接合至第二非回焊金属凸块。本发明的金属凸块间桥接的可能性更小且金属凸块的数量也可增加。

公开(公告)号：CN102347288A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201010597690.5

申请日：2010-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨庆荣 ,  黄章斌 ,  刘醇鸿 ,  唐修敏 ,  陈英儒 ,  邵栋梁 ,  陈宪伟 ,  蔡豪益 ,  李明机

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L23/24

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/93 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路装置，包括一裸片，其包括一金属垫；一保护层；以及一图案化缓冲层，位于上述保护层的上方，其中上述图案化缓冲层包括彼此隔开的多个分离部分；一焊球下金属层，位于上述图案化缓冲层的一开口和上述保护层的一开口中；一金属凸块，位于上述焊球下金属层的上方且电性耦合至上述焊球下金属层。本发明可提升接合强度。

公开(公告)号：CN101335224B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810004615.6

申请日：2008-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈承先 ,  张国钦 ,  卢思维 ,  曹佩华 ,  王忠裕 ,  曾汉良 ,  李明机

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/02321 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种半导体封装结构及其制造方法。在一个实施例中，首先提供半导体芯片，其上露出多个导电层。提供第一基板，其具有第一表面与第二表面，第一表面露出多个介层插塞。将半导体芯片与第一基板接合，使导电层对准并接触介层插塞。从第二表面去除部分的第一基板，以露出介层插塞的另一端。于介层插塞露出的另一端形成凸块底层金属，并于凸块底层金属上形成焊料凸块。提供第二基板，其具有第一表面与第二表面，将焊料凸块设置在第二基板的第一表面。本发明可使焊料凸块较为坚固，大大减少焊料凸块破裂的机会。

公开(公告)号：CN101615585A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910150015.5

申请日：2009-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王宗鼎 ,  李建勋 ,  陈承先 ,  赵智杰 ,  李明机 ,  郭祖宽

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/00 ,  H01L23/52 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L23/481 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/33 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种制造半导体器件的方法，其中包括：提供第一器件、第二器件和第三器件；提供在第一器件和第二器件之间的第一涂层材料，所述第一涂层材料未经固化处理；提供在第二器件和第三器件之间的第二涂层材料；以及所述第二涂层材料未经固化处理；此后，在同一处理中对第一和第二涂层材料进行固化。

公开(公告)号：CN101335224A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810004615.6

申请日：2008-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈承先 ,  张国钦 ,  卢思维 ,  曹佩华 ,  王忠裕 ,  曾汉良 ,  李明机

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/02321 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种半导体封装结构及其制造方法。在一个实施例中，首先提供半导体芯片，其上露出多个导电层。提供第一基板，其具有第一表面与第二表面，第一表面露出多个介层插塞。将半导体芯片与第一基板接合，使导电层对准并接触介层插塞。从第二表面去除部分的第一基板，以露出介层插塞的另一端。于介层插塞露出的另一端形成凸块底层金属，并于凸块底层金属上形成焊料凸块。提供第二基板，其具有第一表面与第二表面，将焊料凸块设置在第二基板的第一表面。本发明可使焊料凸块较为坚固，大大减少焊料凸块破裂的机会。

公开(公告)号：CN101192582A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710181796.5

申请日：2007-10-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢思维 ,  李明机 ,  陈承先 ,  吴华书 ,  邹觉伦

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/495 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括第一基板以及接合在第一基板上的第二基板。第一基板上具有一保护层，保护层具有至少一个第一开口，所述第一开口露出第一基板上的第一接合垫。第二基板具有至少一个第二开口，所述第二开口实质上对正于第一开口且朝向第一开口。

公开(公告)号：CN1700466A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510069446.0

申请日：2005-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵特宗 ,  李明机 ,  林忠毅 ,  张国钦

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/18 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明涉及一种半导体封装体及其形成方法，具体为一种多晶片堆叠型的半导体封装体及其制造方法，包含：将多个堆叠的半导体晶片置于一基板，其中一上晶片的横向周围悬于一下晶片的横向周围外，而形成一凹部；将含有一填充物的一支持粘着层置于上述板上，位于上述下晶片的横向周围旁，并填入上述凹部。上述填充物可包含多个微球体；上述填充物亦可包含空白晶片、主动晶片或被动晶片。本发明所述半导体封装体及其形成方法可减少焊线制程所造成的震动，使得晶片堆叠型封装体中，晶片间的悬空部分能够得到支持。