公开(公告)号：WO2014156882A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/JP2014/057535

申请日：2014-03-19

Applicant: 日東電工株式会社

Inventor： 盛田　浩介 ,  高本　尚英

IPC: H01L23/29 ,  B32B27/00 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00 ,  C09K3/10 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/29 ,  B32B7/12 ,  B32B2307/51 ,  B32B2457/14 ,  C09K3/1006 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/293 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2744 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/81123 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83123 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00

Abstract: 　半導体素子と被着体との熱応答挙動の差を緩和可能であり、かつ半導体素子の実装のための位置合わせが簡便なアンダーフィル材及びこれを備える封止シート、並びに該アンダーフィル材を用いる半導体装置の製造方法を提供する。本発明のアンダーフィル材では、熱硬化処理前のヘイズが７０％以下であり、１７５℃で１時間熱硬化処理した後の貯蔵弾性率Ｅ'［ＭＰａ］及び熱膨張係数α［ｐｐｍ／Ｋ］が２５℃において下記式（１）を満たす。　１００００＜Ｅ'×α＜２５００００［Ｐａ／Ｋ］　・・・（１）

Abstract translation: 提供：底部填充材料，其可以减轻半导体元件和被粘物之间的热响应行为的差异，并且具有用于安装半导体元件的容易定位; 设置有底部填充材料的密封片; 以及使用该底部填充材料制造半导体器件的方法。 底部填充材料在热固化处理之前具有不大于70％的雾度，并且在热固化处理1小时后具有热膨胀系数（α）（ppm / K）和储能弹性模量（E'）（MPa） 175℃，在25℃下满足下式（1）：10,000

公开(公告)号：WO2014129745A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：PCT/KR2014/000312

申请日：2014-01-10

Applicant: 엠케이전자 주식회사

Inventor： 홍성재 ,  허영일 ,  김재선 ,  이종철 ,  문정탁

IPC: B23K35/30 ,  B23K35/18

CPC classification number: B23K35/30 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/0255 ,  B23K35/0261 ,  B23K35/3006 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2224/4554

Abstract: 본 발명은 은(Ag)을 주성분으로 하는 은 합금 본딩 와이어에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 팔라듐(Pd)을 1 내지 4 중량% 포함하고 상기 본딩 와이어의 길이 방향에 대한 수직 단면에 대하여 중심부의 평균 결정립 크기(b)에 대한 외측부의 평균 결정립 크기(a)의 비율(a/b)이 0.3 내지 3인 것을 특징으로 하는 은 합금 본딩 와이어가 제공된다. 본 발명의 본딩 와이어를 이용하면 저렴하면서도 볼 형성성과 SOB 접합성이 우수한 본딩 특성이 얻어질 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及以银为主要成分的银合金接合线。 更具体地，提供了含有1-4重量％钯（Pd）的银合金接合线，其中外部的平均粒径（a）与中心部分的平均粒径（b）的比率与 相对于接合线的长度方向的截面为0.3〜3的范围。 当利用本发明的接合线时，可以廉价地获得具有优异的高球形成性和SOB结合性的接合。

公开(公告)号：WO2014112541A1

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：PCT/JP2014/050616

申请日：2014-01-16

Applicant: 積水化学工業株式会社

Inventor： 石澤　英亮 ,  久保田　敬士

IPC: C08G59/56 ,  H01L21/60 ,  H05K3/32 ,  H05K1/14

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29401 ,  H01L2224/29409 ,  H01L2224/29411 ,  H01L2224/29413 ,  H01L2224/29416 ,  H01L2224/29417 ,  H01L2224/29418 ,  H01L2224/2942 ,  H01L2224/29424 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29447 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/29457 ,  H01L2224/29464 ,  H01L2224/29466 ,  H01L2224/29469 ,  H01L2224/29471 ,  H01L2224/29487 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15788 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/0218 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81805

Abstract: 　速やかに硬化させることができ、更に銅電極を接続した場合であっても導通性を高めることができる電子部品用硬化性組成物を提供する。　本発明に係る電子部品用硬化性組成物は、銅電極の接続に用いられる。本発明に係る電子部品用硬化性組成物は、熱硬化性化合物と、潜在性硬化剤と、芳香族骨格を有するイミダゾール化合物とを含む。

Abstract translation: 提供了一种用于电子部件的固化性组合物，其可以快速固化，并且即使连接到铜电极也可以具有增加的导电性。 当连接到铜电极时，使用电子部件用固化性组合物。 电子部件用固化性组合物含有可热固化性化合物，潜在性固化剂和具有芳香骨架的咪唑化合物。

公开(公告)号：WO2014087397A1

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：PCT/IL2013/050962

申请日：2013-11-24

Applicant: ELTA SYSTEMS LTD.

Inventor： MAYDAR, Yaniv ,  JOSEPH, Yohai

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/10 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L25/0655 ,  H01L21/4817 ,  H01L21/486 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L23/053 ,  H01L23/055 ,  H01L23/147 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/66 ,  H01L24/17 ,  H01L24/46 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0652 ,  H01L2223/6605 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20101 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/207

Abstract: An integrated circuit device and a method of fabricating the same are presented. The integrated circuit device (1) includes two or more active components (30a, 30b), possibly fabricated by different semiconductor technologies, and an interposer structure (10) adapted for carrying the two or more active components such that at least one of the active components is carried on a top surface of the interposer structure. The integrated circuit device also includes at least one metal cap (40), furnished on the top surface of the interposer structure and encapsulating at least one of the active components. Some variants of the integrated circuit device of the invention are suited for operation under extreme conditions.

Abstract translation: 提出了一种集成电路器件及其制造方法。 集成电路器件（1）包括可能由不同半导体技术制造的两个或多个有源部件（30a，30b）和适于承载两个或多个有源部件的插入器结构（10），使得至少一个有源部件 组件被承载在插入器结构的顶表面上。 集成电路器件还包括至少一个金属盖（40），其设置在插入器结构的顶表面上并且封装至少一个有源部件。 本发明的集成电路装置的一些变型适用于极端条件下的操作。

公开(公告)号：WO2014080449A1

公开(公告)日：2014-05-30

申请号：PCT/JP2012/080031

申请日：2012-11-20

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  淺井 林太郎 ,  谷田 篤志

Inventor： 淺井　林太郎 ,  谷田　篤志

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/10 ,  H01L21/52 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/335 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012

Abstract: 　本明細書は、半導体素子が樹脂でモールドされており、その半導体素子がモールド表面に露出するリードフレームと接合されている半導体装置に関する。本明細書は、疲労劣化が進んで接合材にクラックが生じても、クラックが半導体素子に与える影響を低減することのできる技術を提供する。半導体装置２は、トランジスタ３と、リードフレーム８ａ、８ｂと、一方の面において第１接合材５によってトランジスタ３と接合されているとともに、他方の面において第２接合材６によってリードフレーム８ｂと接合されている金属スペーサ４と、樹脂モールド体１３を備える。樹脂モールド体１３は、トランジスタ３と金属スペーサ４を封止している。リードフレーム８ａ、８ｂの一面が樹脂モールド体１３に密着している。第２接合材６には、その強度が第１接合材５の強度よりも低い材料が選定される。

Abstract translation: 本说明书涉及一种半导体器件，其中半导体元件由树脂模制而半导体元件被结合到暴露在模具表面上的引线框架。 本说明书提供了即使接合部件由于渐进的疲劳劣化而发生裂纹也能够减小半导体元件上的裂纹的冲击的特征。 半导体器件（2）具有以下：晶体管（3）; 引线框架（8a，8b）; 金属间隔物（4），其通过第一接合构件（5）在其一个表面上结合到晶体管（3），并且通过第二接合构件将另一个表面接合到引线框架（8a） 接合构件（6）; 和树脂成形体（13）。 树脂成型体（13）密封晶体管（3）和金属间隔物（4）。 引线框架（8a，8b）的一个表面粘附到树脂成形体（13）上。 对于第二接合构件（6），选择具有比第一接合构件（5）的强度低的材料。

公开(公告)号：WO2014077044A1

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：PCT/JP2013/076777

申请日：2013-10-02

Applicant: シャープ株式会社

Inventor： 迫田　直樹

IPC: H01L21/607 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L27/14618 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75343 ,  H01L2224/81047 ,  H01L2224/8112 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 　電子部品素子（１）の電極を、バンプ（２）を介して基板（４）の電極（５）に接合させる際、バンプ（２）のバルク材料の降伏応力以上の第１圧力のみを印加した後、第１圧力の印加を低下もしくは停止し、バンプ（２）に所定の超音波振動を印加して、バンプ（２）のバルク材料の降伏応力以上の第２圧力になるまで圧力を段階的に印加する。

Abstract translation: 在通过凸块（2）将电子元件元件（1）的电极与基板（4）的电极（5）接合之后，仅施加等于或大于凸块的块状材料的屈服应力的第一压力 （2）中，第一压力的施加被减少或停止，然后对凸块（2）施加预定的超声波振动，并分级施加压力，直到压力变为等于或大于 凸块（2）的大块材料。

公开(公告)号：WO2014073963A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：PCT/NL2013/050800

申请日：2013-11-08

Applicant: NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO ,  IMEC

Inventor： SMITS, Edsger Constant Pieter ,  PERINCHERY, Sandeep Menon ,  VAN DEN BRAND, Jeroen ,  MANDAMPARAMBIL, Rajesh ,  SCHOO, Harmannus Franciscus Maria

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  B23K3/06 ,  B23K35/26 ,  C09J9/02 ,  H01L23/00 ,  H01L33/62 ,  H01L23/498 ,  H01L23/485 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L24/83 ,  B23K35/02 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  C09J5/06 ,  C09J2201/61 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/50 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L33/62 ,  H01L2021/60277 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/1111 ,  H01L2224/1133 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/27001 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29034 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/742 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83224 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/381 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: A method is provided for assembly of a micro-electronic component comprising the steps of: providing a conductive die bonding material comprising of a conductive thermosettable resin material or flux based solder and a dynamic release layer adjacent to the conductive thermoplastic material die bonding material layer; and impinging a laser beam on the dynamic release layer adjacent to the die bonding material layer; in such a way that the dynamic release layer is activated to direct conductive die bonding material matter towards the pad structure to be treated to cover a selected part of the pad structure with a transferred conductive die bonding material; and wherein the laser beam is restricted in timing and energy, in such a way that the die bonding material matter remains thermosetting. Accordingly adhesive matter can be transferred while preventing that the adhesive is rendered ineffective by thermal overexposure in the transferring process.

Abstract translation: 提供了一种用于组装微电子部件的方法，包括以下步骤：提供包含导电热固性树脂材料或焊剂基焊料的导电芯片接合材料和邻近导电热塑性材料芯片接合材料层的动态剥离层; 并将激光束照射在与芯片接合材料层相邻的动态释放层上; 使得动态释放层被激活以将导电芯片接合材料物质朝向要处理的焊盘结构物以通过转移的导电芯片接合材料覆盖所述焊盘结构的选定部分; 并且其中激光束的定时和能量受到限制，使得芯片接合材料物质保持热固化。 因此，可以转移粘合剂，同时防止粘合剂在转印过程中通过热过度曝光而变得无效。

公开(公告)号：WO2014051786A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/US2013/047826

申请日：2013-06-26

Applicant: INTEL CORPORATION

Inventor： CHIU, Chia-Pin

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32135 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/1515 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/171 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: Some embodiments described herein include apparatuses and methods of forming such apparatuses. In one such embodiment, an apparatus may include a substrate, a first die, and a second die coupled to the first die and the substrate. The substrate may include an opening. At least a portion of the die may occupy at least a portion of the opening in the substrate. Other embodiments including additional apparatuses and methods are described.

Abstract translation: 本文描述的一些实施例包括形成这种装置的装置和方法。 在一个这样的实施例中，装置可以包括衬底，第一管芯和耦合到第一管芯和衬底的第二管芯。 衬底可以包括开口。 模具的至少一部分可以占据基板中的开口的至少一部分。 描述包括附加装置和方法的其他实施例。

公开(公告)号：WO2014029930A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：PCT/FR2013/051852

申请日：2013-07-31

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： ALIANE, Abdelkader ,  COPPARD, Romain ,  TALLAL, Jamal

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/495 ,  H01L31/02 ,  H01L23/00 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L21/4867 ,  H01L21/563 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02175 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/11515 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13187 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/29035 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81409 ,  H01L2224/818 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/819 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

Abstract: Ce procédé de fabrication d'un dispositif microélectronique comportant un premier composant (12) hybridé à un second composant (14) au moyen d'interconnexions électriques, consiste : à réaliser des premier et second composants (12, 14), le second composant (14) étant transparent à un rayonnement ultraviolet au moins au droit d'emplacements prévus pour les interconnexions; à former des éléments d'interconnexion (22) comprenant de l'oxyde de cuivre sur le second composant (14) aux emplacements prévus pour les interconnexions; à reporter les premier et second composants (12, 14) l'un sur l'autre; et à appliquer un rayonnement ultraviolet au travers le second composant (14) sur les éléments comprenant de l'oxyde de cuivre de manière à mettre en œuvre un recuit ultraviolet transformant l'oxyde de cuivre en cuivre.

Abstract translation: 用于制造包括通过电互连与第二部件（14）杂交的第一部件（12）的微电子器件的该工艺包括：产生第一和第二部件（12,14），第二部件（14）对于 紫外线辐射至少与提供给互连的位置一致; 在为所述互连提供的位置中形成在所述第二部件（14）上包含氧化铜的互连元件（22）; 将第一和第二部件（12,14）放置在另一个上; 以及通过所述第二部件（14）将紫外线辐射施加到包含氧化铜的元件上，以实现将所述氧化铜转化为铜的紫外线退火。

公开(公告)号：WO2014027418A1

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：PCT/JP2012/070907

申请日：2012-08-17

Applicant: 富士電機株式会社 ,  齋藤 隆 ,  西澤 龍男 ,  木下 慶人 ,  梨子田 典弘

Inventor： 齋藤　隆 ,  西澤　龍男 ,  木下　慶人 ,  梨子田　典弘

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L24/33 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/27332 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00

Abstract: 　半導体素子のおもて面電極となる導電部（１）の表面には、銅を主成分とする第１の金属膜（２）が成膜されている。第１の金属膜（２）の表面には、銀を主成分とする第２の金属膜（３）が成膜されている。第２の金属膜（３）の表面には、銀粒子を含有する接合層（４）を介して、導電部（１）と他部材（例えば絶縁基板（２３）の回路パターン（２４））とを電気的に接続する金属板（５）が接合されている。第２の金属膜（３）には、第２の金属膜（３）と銀粒子を含有する接合層（４）との接合強度を低下させるニッケルが含まれていない。これにより、高い接合強度および優れた耐熱性、放熱性を有する電子部品（１０）および電子部品（１０）の製造方法を提供することができる。

Abstract translation: 在用作半导体元件的前表面电极的导电部分（1）的表面上形成以铜为主要成分的第一金属膜（2）。 在第一金属膜（2）的表面上形成以银为主要成分的第二金属膜（3）。 在第二金属膜（3）的表面，金属板（5）与介于其间的含有银粒子的结合层（4）结合，金属板（5）可以将导电部 1）到另一个构件（例如，绝缘衬底（23）的电路图案（24））。 在第二金属膜（3）中，不含有可能降低第二金属膜（3）和含银粒子结合层（4）之间的接合强度的元素的镍。 因此，可以提供：具有高接合强度，优异的耐热性和优异的散热性能的电子部件（10）; 以及电子部件（10）的制造方法。