公开(公告)号：CN103579154B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201310326243.X

申请日：2013-07-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 约阿希姆·马勒 ,  爱德华·菲尔古特 ,  哈利勒·哈希尼 ,  乔治·迈尔-伯格

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/296 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/19 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29291 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/40249 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73213 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

Abstract: 本发明公开了包括叠层的电气器件以及其制造方法。实施方式包括：第一载体触点、第一电气元件，所述第一电气元件具有第一顶面和第一底面，所述第一电气元件包括设置在第一顶面上的第一元件触点，所述第一底面连接至载体；以及包含有所述第二电气元件和互连件的嵌入式系统，所述嵌入式系统具有系统顶面和系统底面，其中，所述系统底面包括第一系统触点和第二系统触点，并且其中第一系统触点连接至所述第一部件触点而第二系统触点连接至所述第一载体触点。该封装器件进一步包括用于封装第一电气元件的密封物。

公开(公告)号：CN102738040B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201210098988.0

申请日：2012-04-06

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M.恩格尔哈特 ,  M.弗兰克 ,  T.孔斯特曼 ,  I.尼基廷 ,  W.罗布尔 ,  G.鲁尔 ,  H-J.蒂默

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L33/405 ,  C23C4/08 ,  C23C4/134 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76885 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/074 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/27622 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/181 ,  H05H1/42 ,  H05K2203/1344 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/0105

Abstract: 本发明涉及用于处理半导体晶圆或裸片的方法和粒子沉积设备。根据各种实施例，提供了一种用于处理半导体晶圆或裸片的方法，包括将粒子提供到等离子体以使得通过等离子体激活所述粒子并且将激活的粒子喷射在半导体晶圆或裸片上以在半导体晶圆或裸片上生成粒子层。

公开(公告)号：CN102867804B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201210236310.4

申请日：2012-07-06

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 拉尔夫·奥特伦巴

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49562 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/34 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/35831 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48671 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48771 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/48871 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/77272 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/92157 ,  H01L2224/92165 ,  H01L2224/92166 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01005

Abstract: 本发明公开了一种包括具有突出体的接触片的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：具有晶片焊垫和第一引线的引线框、具有第一电极的半导体芯片、以及具有第一接触区和第二接触区的接触片。半导体芯片置于晶片焊垫之上。第一接触区置于第一引线之上，以及第二接触区置于半导体芯片的第一电极之上。多个突出体从各第一接触区和第二接触区延伸，并且每个突出体具有至少5μm的高度。

公开(公告)号：CN104903998A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201380069778.1

申请日：2013-01-09

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 谷江尚史 ,  池田靖

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/09 ,  H01L21/563 ,  H01L21/78 ,  H01L23/5382 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/033 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0383 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/0901 ,  H01L2224/0905 ,  H01L2224/091 ,  H01L2224/095 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75755 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了兼顾具有半导体芯片(1)经由接合部件(2a、2b)而与导电部件(3a、3b)电连接的安装构造的半导体装置的热阻的降低与热变形吸收性的提高，接合部件(2a、2b)具有从与半导体芯片(1)接近的一侧起依次具备由具有纳米级尺寸的多个弹簧构成的纳米弹簧层(4)、支撑上述多个弹簧的平面层(5)以及接合层(6)的层叠构造，纳米弹簧层(4)的厚度大于接合层(6)的厚度，接合层(6)的厚度大于平面层(5)的厚度。

公开(公告)号：CN104810342A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510042578.8

申请日：2015-01-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 龙登超 ,  陈天山

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/70 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49555 ,  H01L23/564 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/64 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83413 ,  H01L2224/83416 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15701 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01051

Abstract: 包括柔性引线的半导体器件。半导体器件包括了包括晶体管的半导体芯片。第一柔性引线被电耦合到半导体芯片的第一表面上的第一电极。第二柔性引线被电耦合到半导体芯片的第一表面上的第二电极。第三柔性引线被电耦合到半导体芯片的第二表面上的第三电极，第二表面与第一表面相对。

公开(公告)号：CN104661786A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201280076109.2

申请日：2012-09-28

Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司

Inventor： M.温普林格 ,  B.雷班

IPC: B23K20/02 ,  H01L23/488

CPC classification number: B32B37/16 ,  B23K20/02 ,  B23K20/023 ,  B23K20/026 ,  B23K20/16 ,  B23K20/24 ,  B32B37/10 ,  B32B37/12 ,  B32B38/0036 ,  B32B2309/025 ,  B32B2309/12 ,  B32B2311/12 ,  C23C14/24 ,  C23C16/44 ,  C23C28/02 ,  C25D5/00 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29644 ,  H01L2224/29647 ,  H01L2224/29664 ,  H01L2224/29666 ,  H01L2224/29684 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83099 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  H01L23/488 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 涂覆及接合衬底的方法。本发明涉及一种经由沉积第一材料而对第一衬底(1)涂覆第一扩散接合层(5)的方法，其在第一衬底(1)的第一表面(1o)上形成第一扩散接合层(5)，以使该第一扩散接合层(5)形成具有小于1μm的与该第一表面(1o)平行的平均粒直径H的粒表面。此外，本发明涉及一种采用以下步骤，尤其是以下流程将已如此涂覆的第一衬底(1)接合至具有第二扩散接合层(4)的第二衬底(3)的方法：-使第一衬底(1)的第一扩散接合层(5)与第二衬底(3)的第二扩散接合层接触，-将该衬底(1、3)压在一起而形成该第一及第二衬底(1、3)间的永久金属扩散接合。

公开(公告)号：CN104465557A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410476583.5

申请日：2014-09-18

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： K.侯赛因 ,  J.马勒 ,  I.尼基廷

IPC: H01L23/373 ,  H01L21/48

CPC classification number: H05K7/209 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/4875 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49844 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

Abstract: 电子功率器件和制作电子功率器件的方法。电子器件包括功率模块，其包括第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面，其中第一主表面的至少一部分被配置为没有电功率端子功能的热耗散表面。电子器件包括布置在第一主表面的部分上的第一多孔金属层。

公开(公告)号：CN102651352B

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201210034475.3

申请日：2012-02-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 谷元昭 ,  冈本圭史郎

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/78 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/3224 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33183 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1026 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/1047 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/142 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置、用于制造半导体装置的方法以及电子器件，所述半导体装置包括：包括第一电极的半导体器件；包括第二电极和凹部的衬底；和散热粘合材料，该散热粘合材料将半导体器件固定在凹部中，以将第一电极布置为靠近第二电极，其中第一电极耦接到第二电极，并且散热粘合材料覆盖半导体器件的底表面和侧表面的至少一部分。

公开(公告)号：CN104094387A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201380008409.1

申请日：2013-01-25

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： C·弗吕 ,  A·菲克斯

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/32 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/19 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3006 ,  B23K2103/08 ,  B23K2103/56 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/26125 ,  H01L2224/26155 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/29016 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/30515 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8392 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/83951 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种连接装置(100、200、300、400)，包括至少一个电气元件和/或电子元件(1)。所述至少一个电气元件和/或电子元件(10)具有至少一个连接面(11)，所述连接面借助于连接层(20)以材料连接的方式与接合配对件(40)连接。所述连接层(20)例如可以是在形成材料连接的条件下将接合配对件连接的粘接、钎焊、熔焊、烧结连接部或者其它已知的连接部。此外，以材料连接的方式与所述连接层(20)邻接地设有加强层(30’)。所述加强层(30’)具有比所述连接层(20)更高的弹性模量。因此，如果所述加强层(30’)通过外边界和内边界(36、35)被设计成框架状并且至少以它的外边界(36)包围所述至少一个电气元件和/或电子元件(10)的连接面(11)，则得到特别大的保护作用。

公开(公告)号：CN104072187A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410044836.1

申请日：2014-02-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 儿玉一宗 ,  内藤孝 ,  藤枝正 ,  泽井裕一 ,  青柳拓也 ,  宫城雅德

IPC: C04B37/02 ,  C03C27/00 ,  C03C8/14

CPC classification number: H01L24/29 ,  C04B35/645 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/10 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/55 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C04B2237/86 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29209 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29213 ,  H01L2224/29218 ,  H01L2224/29224 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29244 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29269 ,  H01L2224/29288 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83487 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  Y10T428/265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供接合材料和接合构造体。本发明解决的技术问题是不进行金属化处理，而在软钎料程度的处理温度下接合陶瓷、半导体、玻璃等基材。接合构造体中，多种基材通过接合层接合，而且至少一种基材为陶瓷、半导体和玻璃中的任一种基材，接合材料层包含金属和氧化物，氧化物含有V和Te，氧化物存在于金属与基材之间。接合材料为：包含氧化物玻璃、金属颗粒和溶剂的膏状，该氧化物玻璃的成分中含有V和Te；或者埋入有氧化物玻璃的颗粒的箔状或板状，该氧化物玻璃的成分中含有V和Te；或者包含氧化物玻璃的层和金属的层的箔状或板状，该氧化物玻璃的成分中含有V和Te。