公开(公告)号：CN103151333B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201210132709.8

申请日：2012-04-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈宪伟 ,  蔡豪益 ,  李明机 ,  余振华

IPC分类号： H01L23/528

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/522 ,  H01L23/525 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02235 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括设置半导体衬底上的钝化层以及设置钝化层上的互连结构。该互连结构包括相互电分离的接合焊盘区域和伪区域。保护层设置在该互连结构的上面并且包括暴露接合焊盘区域的一部分的第一开口以及暴露伪区域的一部分的第二开口。金属层形成在接合焊盘区域的所暴露部分和伪区域的所暴露部分上。凸块形成在位于接合焊盘区域上面的金属层上。本发明还公开了后钝化互连结构。

公开(公告)号：CN103650335B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280034749.7

申请日：2012-08-31

申请人： 京瓷晶体元件有限公司

发明人： 新山高弘 ,  新德弘伸 ,  笹川亮磨 ,  小村顺平

IPC分类号： H03B5/32 ,  H01L21/60 ,  H01L23/08

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L23/13 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/8138 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/831 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/3841 ,  H03H9/0514 ,  H03H9/0547 ,  H03H9/0552 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明所涉及的压电装置（100）包括：元件搭载构件（110）、搭载于元件搭载构件（110）的压电元件（120）、形成于元件搭载构件（110）表面且包含元件搭载区域（118a）及走线区域（118b）的金属图案（118）、利用焊料凸点（132）与金属图案（118）的元件搭载区域（118a）电连接的集成电路元件（130），金属图案（118）具有设置于元件搭载区域（118a）与走线区域（118b）之间的凸部（119），凸部（119）的至少表面部分由金属氧化物构成。

公开(公告)号：CN102714921B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201080059835.4

申请日：2010-12-22

申请人： 千住金属工业株式会社

发明人： 上岛稔 ,  丰田实

IPC分类号： H05K3/34 ,  H01L21/52

CPC分类号： H01L23/49582 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/29026 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29447 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/0135 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/3421 ,  H05K3/3463 ,  H05K2203/047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

摘要： 本发明提供面安装部件的软钎焊方法以及面安装部件。即使在使用安装用软钎料将使用小片焊接用软钎料而形成的面安装部件软钎焊到印刷电路板上时，小片焊接用软钎料也不会发生熔化。作为芯片焊盘用软钎料（30），使用Cu的含有量为规定值以下的、以Sn为主要成分的（Sn—Sb）系高熔点软钎料，作为涂布在电路基板的基板端子部上的安装用软钎料（70），使用（Sn—Ag—Cu—Bi）系软钎料，使用上述安装用软钎料（70）来软钎焊使用上述芯片焊盘用软钎料（30）而形成的面安装部件。由于小片焊接用软钎料（30）的固相线温度是243℃，安装用软钎料（70）的液相线温度是215℃～220℃左右，因此小片焊接用软钎料（30）也不会因回流炉的加热温度（240℃以下）而熔化。

公开(公告)号：CN105612275A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480055039.1

申请日：2014-09-30

申请人： 伊文萨思公司

发明人： C·E·尤佐 ,  A·R·西塔拉姆

IPC分类号： C25F3/14 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L25/0655 ,  C25F3/12 ,  C25F3/14 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/17 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15701 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15763 ,  H05K1/0212 ,  H05K1/115 ,  H05K3/07 ,  H05K2201/10378

摘要： 在导电层的第一导电部分上方形成掩模，以暴露所述导电层的第二导电部分。执行电解工艺以从所述第二导电部分的第一区域和第二区域移除导电材料。相对于所述电解工艺所施加的电场，将所述第二区域与所述掩模对齐。所述第二区域将所述第二导电部分的所述第一区域与所述第一导电部分分隔开。所述电解工艺相对于所述第二区域集中，使得与在所述第一区域中相比，在所述第二区域中以相对更高的比率进行移除。

公开(公告)号：CN103715111B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310271669.X

申请日：2013-07-01

申请人： 田中电子工业株式会社

发明人： 天野裕之 ,  三上道孝 ,  冈崎纯一 ,  滨本拓也 ,  中岛伸一郎 ,  山下勉 ,  三苫修一 ,  小野甲介 ,  刘斌 ,  执行裕之

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/607

CPC分类号： H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01024

摘要： 本发明提供用于连接半导体装置的铜-铑合金线。[目的]改良铜合金球焊线，使得限制在超声波接合时的铝飞溅和倾斜，并改善在二次接合时的接合性的品质。[解决问题的手段]在包含纯度为99.995质量％以上的初始铜(Cu)和量为0.1-1.5质量％的铑(Rh)的金属基体中，溶解非金属元素的量为1.0-10质量ppm的硫(S)和量为10-150质量ppm的氧(O)，随后也可以溶解量为1-10质量ppm的磷(P)。在金属中的铑起到限制硫在球表面偏析的作用，因此控制其动态强度，并且与溶解的氧协同作用，铑限制了S的活性并因此改善了在倾斜和二次接合性方面的线品质。

公开(公告)号：CN105428341A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510591584.9

申请日：2015-09-16

申请人： 株式会社东芝

发明人： 佐藤隆夫

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13186 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17177 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/17135 ,  H01L2224/17136 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/0332

摘要： 本发明涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的实施方式抑制半导体装置的可靠性降低。实施方式的半导体装置具备：第1半导体芯片；第2半导体芯片，积层在第1半导体芯片上，具有从一面向另一面贯通半导体基板的贯通电极，且以将另一面朝向第1半导体芯片的方式积层；第1凸块，向一面突出设置，且具有露出面；密封树脂，以将露出面露出的方式密封第1半导体芯片与第2半导体芯片、第1凸块；以及第2凸块，设置在露出面上。

公开(公告)号：CN103339719B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201280007491.1

申请日：2012-12-12

申请人： 田中电子工业株式会社

发明人： 高田满生 ,  山下勉 ,  执行裕之 ,  桑原岳 ,  冈崎纯一 ,  齐藤茂

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/45 ,  H01B1/026 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45573 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01206 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

摘要： 本发明提供一种球焊用被覆钯的铜线，其能够提高对铝电极的接合可靠性。本发明的球焊用被覆钯的铜线中，在钯中间层表面形成包含厚度为5nm以下的极薄层的金层，在含氢的不活泼气氛中进行热处理，中间层的钯侵入到金极薄层，通过微细的金相和钯相进行三维生长的层岛混合模式生长，形成金-钯混杂层。在热处理过程中，钯吸收氢，在热处理后进行骤冷，由此使上述混杂层的钯稳定化，在熔融焊球形成时尽快熔化，随着被覆线端面的金到达端面的钯熔化，均匀微细地分散到熔融焊球表面层，抑制与铝的接合界面中的铝的氧化。

公开(公告)号：CN105393352A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201480037851.1

申请日：2014-04-04

申请人： 贺利氏材料新加坡私人有限公司

发明人： 杨平熹 ,  M.萨兰加帕尼 ,  E.米尔克

IPC分类号： H01L23/49 ,  C22C9/00

CPC分类号： H01B5/02 ,  C22C9/00 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/745 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43985 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0213 ,  H05K1/111 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01033

摘要： 本发明涉及包括具有表面的芯的接合导线，其中所述芯包括铜作为主要成分，其中所述芯包括铜作为主要成分，其中在所述芯中的晶体颗粒的平均大小是在2.5μm与30μm之间，并且其中所述接合导线的屈服强度小于120MPa。

公开(公告)号：CN105322001A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510330015.9

申请日：2015-06-15

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 吉永康之 ,  贞方健太

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/45

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/53219 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/535 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7396 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33106 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L29/456

摘要： 本发明的各个实施例涉及半导体器件和电子设备。半导体器件的可靠性得到改进。该半导体器件包括：接线，作为用于在半导体衬底之上的第一绝缘膜之上形成的端子的导电膜图案；第二绝缘膜，以覆盖该接线的方式形成在第一绝缘膜之上；以及镍层，形成在从在第二绝缘膜中的开口暴露出来这部分接线之上。该接线由叠合膜形成，该叠合膜具有含有铝作为主要成分的主导体膜、和形成在该主导体膜的整个顶表面之上的导体膜。导体膜由钛膜、钨膜或者钨化钛膜形成。镍层形成在从开口暴露出来的这部分导体膜之上。

公开(公告)号：CN105247668A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201580000862.7

申请日：2015-03-31

申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 ,  新日铁住金高新材料株式会社

发明人： 山田隆 ,  小田大造 ,  大石良 ,  榛原照男 ,  宇野智裕

IPC分类号： H01L21/60 ,  B21C1/00 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14

CPC分类号： H01L24/45 ,  B21C1/00 ,  B21C1/003 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01017 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005

摘要： 本发明为了同时抑制倾斜不良和弹回不良，提供一种半导体装置用接合线，其特征在于，(1)在包含线中心、并与线长度方向平行的截面(线中心截面)中，不存在长径a与短径b之比a/b为10以上且面积为15μm2以上的晶粒(纤维状组织)；(2)测定线中心截面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向＜100＞的存在比率以面积比率计为10％以上且小于50％；(3)测定线表面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向＜100＞的存在比率以面积比率计为70％以上。在拉丝工序中进行至少1次减面率为15.5％以上的拉丝加工，将最终热处理温度和最终热处理之前的离最终热处理最近的那次热处理的温度设为规定范围。