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51.

发明公开
半导体装置及其制造方法有权

公开(公告)号：CN102157473A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201010194536.3

申请日：2010-05-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭庭豪 , 陈承先 , 萧景文

IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60 , H01L23/488 , H01L21/48

CPC分类号： H01L24/11 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/13016 , H01L2224/13018 , H01L2224/13022 , H01L2224/13076 , H01L2224/1308 , H01L2224/13084 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13169 , H01L2224/16507 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552 , H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一基材，包含一第一导电层；一柱体，具有一非平坦表面，电性连接至此第一导电层；以及一焊料，位于此柱体上并电性接触此第一导电层。柱体形成非平坦的顶部表面，在一些实施例中，此顶部表面可为凹面、凸面或呈波浪状，此外，可视需要形成盖层于柱体上以增强金属间化合物层的性质。本发明中，导电柱体具有非平坦的表面，可减少裂缝产生及/或减少裂缝以线性或近线性扩展的机会。

52.

发明公开
半导体装置及其制造方法有权转让

公开(公告)号：CN108417550A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201710651125.4

申请日：2017-08-02

申请人： 东芝存储器株式会社

发明人： 加本拓 , 右田达夫 , 渡边慎也

IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0225 , H01L2224/0226 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03614 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/11462 , H01L2224/13026 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13564 , H01L2224/13611 , H01L2224/13616 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2224/16145 , H01L2224/81203 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/05442 , H01L2924/07025 , H01L2924/3656

摘要： 本发明的实施方式提供一种已将衬底接合的可靠性提高的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具有：第一半导体衬底，将第一布线电极设置在表面；第一保护层，形成在所述半导体衬底上，且于所述第一布线电极上具有开口部；第一凸块电极，形成在所述第一保护层的开口部；及凸块，与所述第一凸块电极接合，且凸块直径为30μm以下。形成在所述开口部的所述第一凸块电极的底面直径为所述第一保护层的膜厚的1.5倍以下。

53.

发明授权
互连止裂器结构及方法失效复审申请

公开(公告)号：CN103247587B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201210244569.3

申请日：2012-07-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 , 史达元

IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60

CPC分类号： H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/49 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/0361 , H01L2224/0401 , H01L2224/05012 , H01L2224/05013 , H01L2224/05014 , H01L2224/05015 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05583 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/1131 , H01L2224/1134 , H01L2224/114 , H01L2224/1145 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1161 , H01L2224/11616 , H01L2224/11825 , H01L2224/11849 , H01L2224/13011 , H01L2224/13012 , H01L2224/13014 , H01L2224/13076 , H01L2224/13078 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1357 , H01L2224/13582 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/13664 , H01L2224/13671 , H01L2224/13672 , H01L2224/1601 , H01L2224/16237 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4554 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2924/15787 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/00012 , H01L2224/10125 , H01L2224/10155 , H01L2924/00

摘要： 本发明提供了用于阻止裂纹的系统和方法。一种实施例包括将止裂器置入半导体管芯和衬底之间的连接件。止裂器可以为空心或者实心圆柱形并且可被放置成便于阻止穿过止裂器的任何裂纹扩展。本发明还公开了互连止裂器结构及方法。

54.

发明公开
用于光刻法中的光刻胶清洁组合物及其用于处理衬底的方法有权

公开(公告)号：CN108026492A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680052243.7

申请日：2016-08-04

申请人： 弗萨姆材料美国有限责任公司

发明人： R·L-K·常 , G·E·帕里斯 , 陈秀美 , 李翊嘉 , 刘文达 , 陈天牛 , L·M·马兹 , R·L·C·洛 , 孟令人

IPC分类号： C11D11/00 , C11D3/39 , C11D3/34 , C11D3/00

CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/0073 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/34 , C11D7/5009 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/31133 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/02311 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05171 , H01L2224/05614 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05672 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1148 , H01L2224/1181 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/81191 , H01L2224/94 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2924/01047

摘要： 本文公开了用于剥离膜厚度为3‑150μm的光刻胶图案的光刻胶清洁组合物，其包含(a)季铵氢氧化物、(b)水溶性有机溶剂的混合物、(c)至少一种腐蚀抑制剂和(d)水，及用该光刻胶清洁组合物处理衬底的方法。

55.

发明公开
用于材料移除的半导体装置处理方法有权

公开(公告)号：CN107949902A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201680051785.2

申请日：2016-07-08

申请人： 德卡技术股份有限公司

发明人： T.L.奥尔森 , W.B.罗杰斯 , F.阿尔达斯

IPC分类号： H01L21/308

CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/568 , H01L21/67784 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/19 , H01L24/75 , H01L24/76 , H01L24/96 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/03614 , H01L2224/0381 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/742 , H01L2224/7501 , H01L2224/75651 , H01L2224/7665 , H01L2224/94 , H01L2924/18162 , H01L2224/214

摘要： 本发明题为“用于材料移除的半导体装置处理方法”。本发明公开了一种从半导体基材上方移除材料层的至少一部分的方法，该方法可包括将蚀刻溶液分配在半导体基材上方以在材料层上形成蚀刻溶液池，其中蚀刻溶液池的覆盖区小于半导体基材的覆盖区。蚀刻溶液池以及半导体基材可相对于彼此移动。可用至少一个空气刀在半导体基材上限定蚀刻溶液池的池边界，使得蚀刻溶液池在蚀刻溶液池的覆盖区内蚀刻半导体基材上方的材料层。蚀刻溶液以及由蚀刻溶液池蚀刻的材料层的至少一部分可用至少一个空气刀移除。

56.

发明公开
堆叠半导体管芯以用于系统级ESD保护的半导体装置和方法审中-实审

公开(公告)号：CN107134430A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710234357.X

申请日：2017-02-28

申请人： 商升特公司

发明人： 黄昌俊 , J·克拉克

IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/538 , H01L27/02

CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/304 , H01L21/561 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/295 , H01L23/3121 , H01L23/3171 , H01L23/49575 , H01L23/60 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L27/0255 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05573 , H01L2224/0558 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/06181 , H01L2224/08146 , H01L2224/08148 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1134 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/14181 , H01L2224/16146 , H01L2224/16147 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/17181 , H01L2224/2929 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/4847 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/80203 , H01L2224/8082 , H01L2224/80895 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/8182 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/10322 , H01L2924/10324 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/10335 , H01L2924/1203 , H01L2924/141 , H01L2924/143 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/1461 , H01L2924/01082 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2224/81 , H01L2224/80 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L27/0292 , H01L27/0296

摘要： 本发明公开堆叠半导体管芯以用于系统级ESD保护的半导体装置和方法。一种半导体装置具有包括第一保护电路的第一半导体管芯。包括第二保护电路的第二半导体管芯被设置在第一半导体管芯上面。移除第一半导体管芯和第二半导体管芯的一部分以减小管芯厚度。形成互连结构以共同地连接第一保护电路和第二保护电路。使入射到互连结构的瞬变情况共同地通过第一保护电路和第二保护电路放电。具有保护电路的任何数目半导体管芯可以被堆叠并经由互连结构而互连以增加ESD电流放电能力。可以通过将第一半导体晶片设置在第二半导体晶片上面然后将晶片单片化来实现管芯堆叠。替换地，使用管芯到晶片或管芯到管芯组装。

57.

发明公开
晶圆级芯片级封装及其形成方法无效

公开(公告)号：CN107026138A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201611091100.5

申请日：2016-12-01

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 季彦良 , 熊明仁

IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/48

CPC分类号： H01L24/94 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0214 , H01L2224/02145 , H01L2224/02166 , H01L2224/02181 , H01L2224/0235 , H01L2224/02351 , H01L2224/0236 , H01L2224/02371 , H01L2224/02381 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05082 , H01L2224/05094 , H01L2224/05096 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/13027 , H01L2224/131 , H01L2224/94 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L23/485 , H01L21/4814 , H01L23/488

摘要： 本发明公开了晶圆级芯片级封装及其形成方法，其中，所述晶圆级芯片级封装包括：半导体结构；在所述半导体结构上形成的第一焊盘；在所述半导体结构和所述第一焊盘上形成的保护层，其中，所述保护层暴露所述第一焊盘的多个部分；在所述保护层和所述第一焊盘被所述保护层所暴露的部分上形成的导电再分布层；在所述保护层和所述导电再分布层上形成的平面层，所述平面层暴露所述导电再分布层的一部分；在所述平面层和所述导电再分布层被所述平面层所暴露的部分上形成的凸块下金属层；以及在所述凸块下金属层上形成的导电凸块。本发明提供的晶圆级芯片级封装具有较小的尺寸。