公开(公告)号：WO2014024271A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：PCT/JP2012/070185

申请日：2012-08-08

Applicant: 千住金属工業株式会社 ,  上島 稔 ,  藤巻 礼

Inventor： 上島　稔 ,  藤巻　礼

IPC: B23K35/26 ,  B23K35/28 ,  C22C12/00 ,  C22C13/02 ,  C22C30/02 ,  C22C30/04

CPC classification number: B23K35/262 ,  B23K35/025 ,  B23K35/24 ,  B23K35/28 ,  C22C12/00 ,  C22C13/02 ,  C22C30/02 ,  C22C30/04 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/351 ,  Y10T403/479 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 　緩冷却で凝固しても低融点相が生成されず、優れた接続信頼性を有するＳｎ－Ｓｂ－Ａｇ－Ｃｕ系高温鉛フリーはんだ合金を提供する。　質量％で、Ｓｂ：３５～４０％、Ａｇ：１３～１８％、Ｃｕ：６～８％、および残部Ｓｎから成る合金組成を有する。

Abstract translation: 提供一种Sn-Sb-Ag-Cu系高温无铅焊料合金，即使在低冷却速度下固化也不会形成任何低熔点相，并且具有优异的接头可靠性。 这种焊料合金具有以质量％计含有35-40％的Sb，13-18％的Ag，6-8％的Cu和余量的Sn的合金组成。

公开(公告)号：WO2013180300A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：PCT/JP2013/065302

申请日：2013-05-27

Applicant: 国立大学法人茨城大学 ,  日本ピストンリング株式会社

Inventor： 大貫　仁 ,  玉橋　邦裕 ,  藤井　功隆

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L24/48 ,  H01L24/32 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/48456 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85948 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01003 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01006

Abstract: 　パワー半導体デバイスの動作温度の上昇に対して、従来以上の高信頼性を有するボンディング接続部を実現できるボンディングＡｌワイヤ及び該Ａｌワイヤを用いた半導体装置、並びに該Ａｌワイヤの探索方法を提供する。本発明のボンディングＡｌワイヤは、アルミニウム合金からなり、室温から３００℃の温度範囲で実測される応力と歪との関係を示す曲線（応力－歪線図）において、該応力－歪線図の降伏後の線図から真応力の差分（Δρｔ）と真歪の差分（Δεｔ）との比（Δρｔ／Δεｔ）を算出することによって降伏後の真歪に対する真応力の傾きとして求められる接線係数ＴＣが３００ＭＰａ／％以上、好ましくは４００ＭＰａ／％以上である。前記の接線係数ＴＣが３００ＭＰａ／％以上であるＡｌ合金を選択する方法は、簡便で効率的な高信頼性ボンディングＡｌワイヤの探索方法として適用できる。

Abstract translation: 提供：能够实现比常规的接合连接更可靠并且允许功率半导体器件的操作温度升高的接合连接的接合铝线; 使用所述Al线的半导体器件; 以及所述Al线的搜索方法。 该接合铝线由在室温至300℃的温度范围内测定的应力应变图中显示出300MPa /％以上，优选为400MPa /％以上的切线系数（TC）的铝合金构成。 切线系数（TC）是通过计算图中后屈服曲线中的真应力差（Deltarhot）与真应变差（Deltaepsilont）的比率（Deltarhot / Deltaepsilon）确定的后产量真应力 - 真应变斜率 。 选择显示300MPa /％以上的切线系数（TC）的Al合金的工序对于高可靠性的接合Al线是有用的。

公开(公告)号：WO2013171946A1

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：PCT/JP2013/001373

申请日：2013-03-06

Applicant: パナソニック株式会社

Inventor： 田中　淳也 ,  南尾　匡紀

IPC: H01L25/10 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/041 ,  H01L21/52 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49555 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/06 ,  H01L24/09 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/115 ,  H01L2021/60015 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047

Abstract: 　単一のケース（２）に複数のパッケージ（６，６）を収めた半導体装置の製造方法であって、第一の端子（１）を有するケース（２）を、その底部の開口部（３０）を下にして作業テーブル（３）に戴置し、第二の端子（４）を有するパッケージ（６，６）を、ケース（２）の開口部（３０）を通して作業テーブル（３）に戴置して、第一の端子（１）と第二の端子（４）の間に隙間（３１）を形成し、隙間（３１）に接合材料（７）を介装して第一の端子（１）と第二の端子（４）を電気接続する。

Abstract translation: 提供一种半导体器件的制造方法，其中通过单个壳体（2）容纳多个封装（6,6）。 包括第一端子（1）的壳体（2）被放置在其底部具有向下开口（30）的工作台（3）上，具有第二端子（4）的包装（6,6） 通过壳体（2）的开口（30）放置在工作台（3）上，在第一端子（1）和第二端子（4）之间形成间隙（31），接合部件 ）插入在间隙（31）中以将第一端子（1）与第二端子（4）电连接。

公开(公告)号：WO2013109593A3

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：PCT/US2013021686

申请日：2013-01-16

Applicant: SEMPRIUS INC ,  UNIV ILLINOIS

Inventor： MENARD ETIENNE ,  MEITL MATTHEW ,  ROGERS JOHN A

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L23/00 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/7806 ,  H01L23/481 ,  H01L23/544 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/799 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L24/98 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/14618 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/043 ,  H01L31/048 ,  H01L31/1892 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24147 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/24998 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/3012 ,  H01L2224/32104 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/75263 ,  H01L2224/75314 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80224 ,  H01L2224/82007 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/83093 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83224 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83859 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83868 ,  H01L2224/83871 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/9512 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/02276 ,  H05K1/18 ,  H05K13/04 ,  H05K13/046 ,  Y02E10/50 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/51 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13111

Abstract: A method of printing transferable components includes pressing a stamp (10) including at least one transferable semiconductor component (20) thereon on a target substrate (30) such that the at least one transferable component and a surface of the target substrate contact opposite surfaces of a conductive eutectic layer (31). During pressing of the stamp on the target substrate, the at least one transferable component is exposed to electromagnetic radiation (4) that is directed through the transfer stamp to reflow the eutectic layer. The stamp is then separated from the target substrate to delaminate the at least one transferable component from the stamp and print the at least one transferable component onto the surface of the target substrate. Related systems and methods are also discussed.

Abstract translation: 打印可转移部件的方法包括在目标基板（30）上按压包括至少一个可转移半导体部件（20）的印模（10），使得至少一个可转印部件和目标基板的表面接触 导电共晶层（31）。 在将印模压在目标基板上时，至少一个可转印部件暴露于电磁辐射（4），该电磁辐射（4）被引导通过传送印模以回流共晶层。 然后将印模与目标基材分离，以将印模中的至少一种可转移组分分层，并将该至少一种可转移组分印刷到目标基材的表面上。 还讨论了相关系统和方法。

公开(公告)号：WO2013125086A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：PCT/JP2012/075412

申请日：2012-10-01

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 本田　一尊 ,  永井　朗 ,  佐藤　慎

IPC: H01L21/52 ,  B23K35/363 ,  C08L63/00 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: C09J11/06 ,  B23K35/3613 ,  B23K35/3618 ,  B23K35/362 ,  C08K5/092 ,  C09J163/00 ,  H01L21/563 ,  H01L23/295 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03825 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05116 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05575 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13575 ,  H01L2224/1358 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/92122 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H05K3/305 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/10977 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00 ,  C08L63/00 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/0001

Abstract: 　エポキシ樹脂、硬化剤及び下記式（１）で表される基を有する化合物を含有する、半導体用接着剤。［式中、Ｒ １ は、電子供与性基を示す。］

Abstract translation: 提供一种含有环氧树脂，固化剂和具有式（1）所示基团的化合物的半导体粘合剂。 [式中，R1表示给电子基团]

公开(公告)号：WO2013106050A2

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：PCT/US2012/032788

申请日：2012-04-09

Applicant: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED ,  TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED ,  HERBSOMMER, Juan, A. ,  LOPEZ, Osvaldo, J. ,  NOQUIL, Jonathan, A.

Inventor： HERBSOMMER, Juan, A. ,  LOPEZ, Osvaldo, J. ,  NOQUIL, Jonathan, A.

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/492

CPC classification number: H01L21/4825 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32104 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00

Abstract: A packaged power transistor device (100) having a leadframe including a flat plate (110) and a coplanar flat strip (120) spaced from the plate, the plate having a first thickness (110a) and the strip having a second thickness (120a) smaller than the first thickness, the plate and the strip having terminals (212; 121a). A field-effect power transistor chip (210) having a third thickness (210a), a first and a second contact pad on one chip side, and a third contact pad (211) on the opposite chip side, the first pad being attached to the plate, the second pad being attached to the strip, and the third pad being coplanar with the terminals. Encapsulation compound (130) filling the thickness difference between plate and strip, and spaces between chip and terminals, wherein the compound has a surface (101) coplanar with the plate surface (111) and the opposite surface (102) coplanar with the third pad (211) and the terminals (212; 212a), the distance (104) between the surfaces being equal to the sum of the first (110a) and third (210a) thicknesses.

Abstract translation: 一种封装的功率晶体管器件（100），其具有包括平板（110）和与所述板间隔开的共面平坦条（120）的引线框架，所述板具有第一厚度（110a），并且所述带具有第二厚度（120a） 小于第一厚度，板和带具有端子（212; 121a）。 具有第三厚度（210a），一个芯片侧的第一和第二接触焊盘和相对的芯片侧的第三接触焊盘（211）的场效应晶体管芯片（210），所述第一焊盘附接到 所述板，所述第二垫附接到所述条，并且所述第三垫与所述端子共面。 填充板和条带之间的厚度差以及芯片和端子之间的空间的封装化合物（130），其中所述化合物具有与所述板表面（111）共面的表面（101）和与所述第三焊盘共面的相对表面（102） （211）和端子（212; 212a）之间，表面之间的距离（104）等于第一（110a）和第三（210a）厚度之和。

公开(公告)号：WO2013100709A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：PCT/KR2012/011767

申请日：2012-12-28

Applicant: 주식회사 네패스

Inventor： 박윤묵 ,  전병율

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/11 ,  H01L24/19 ,  H01L24/91 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은, 반도체 칩들에 밀봉 부재에 의하여 반도체 칩이 매립되고, 상기 매립된 반도체 칩의 하측에 외측 연결 부재가 위치하도록 팬 아웃 구조를 가지는 반도체 패키지를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 패키지는, 매립 재배선 패턴층; 상기 매립 재배선 패턴층의 상측에 위치한 상측 반도체 칩; 상기 상측 반도체 칩을 밀봉하는 상측 밀봉 부재; 상기 매립 재배선 패턴층의 하측에 위치한 하측 반도체 칩; 및 상기 하측 반도체 칩이 노출되지 않도록 밀봉하는 하측 밀봉 부재;를 포함한다.

Abstract translation: 本发明提供了一种具有扇出结构的半导体封装，其中通过密封构件将半导体芯片嵌入半导体芯片中，并且将外部连接构件放置在嵌入式半导体芯片的下方。 根据本发明的一个实施例的半导体封装包括：嵌入再分布图案层; 布置在所述嵌入再分配图案层上的上半导体芯片; 用于密封上半导体芯片的上密封构件; 布置在嵌入再分配图案层下方的下半导体芯片; 以及用于密封下半导体芯片的下密封构件，使得下半导体芯片不被暴露。

公开(公告)号：WO2013098929A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：PCT/JP2011/080134

申请日：2011-12-26

Applicant: 株式会社ザイキューブ ,  中村 博文

Inventor： 中村　博文

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L24/17 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/642 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L28/60 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/48096 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48095

Abstract: 　従来の高速・大電流の半導体チップでは、チップの片面に全ての電気的接続端子を配置していた。このため、安定した電源電流を供給したり、電源から信号系へ混入する雑音を低くするため、多くの端子を電源流入端子と電源流出端子に割いていた。この結果、前記半導体チップを搭載した半導体デバイスの端子数の増大、実装面積の増大といった課題があった。　半導体チップの両面に電源系と信号系の電気的接続端子を振り分けて配置する。大電流が流れる流路の許容電流値を大きくする構成により、少ない端子数でも安定な電源供給が可能、信号系への雑音混入を低減、ピン数の低減による実装面積の低減、放熱効果の増大などが可能となる。また、この半導体チップを搭載した半導体モジュールにより、大電流が流れる高速動作でも安定した特性を実現できる。

Abstract translation: 在传统的高速大电流半导体芯片中，所有电连接端子设置在芯片的一个表面上。 为此，为了提供稳定的电源电流并降低信号系统中混合的噪声，已经为电源电流流入端子和电源电流流出端子分配了大量端子。 因此，存在安装有所述半导体芯片的半导体器件的端子数量增加以及安装面积增加的问题。 电连接端子分为电源系统的端子和信号系统的端子，并且设置在半导体芯片的两侧。 增加大电流流过的流路的允许电流值的结构例如即使使用少量端子也能够提供稳定的电力，可以降低混合在信号系统中的噪声，降低安装面积 通过减少引脚数量，并增加散热效果。 通过安装该半导体芯片的半导体模块，即使在大电流的高速运转中，也可获得稳定的特性。

公开(公告)号：WO2013081306A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：PCT/KR2012/009087

申请日：2012-11-01

Applicant: SAMSUNG TECHWIN CO., LTD ,  PAEK, Sung-Kwan ,  SHIN, Dong-Il ,  PARK, Se-Chuel

Inventor： PAEK, Sung-Kwan ,  SHIN, Dong-Il ,  PARK, Se-Chuel

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8349 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00

Abstract: A lead frame and a semiconductor package including the lead frame. The lead frame includes, a base material, a first metal layer formed on at least a surface of the base material by using copper, and a second metal layer formed of an alloy including at least silver (Ag), and palladium (Pd) on a surface of the first metal layer.

Abstract translation: 引线框架和包括引线框架的半导体封装。 引线框架包括：基材，通过使用铜形成在基材的至少一个表面上的第一金属层，以及由至少包含银（Ag）和钯（Pd）的合金形成的第二金属层， 第一金属层的表面。

公开(公告)号：WO2013067270A1

公开(公告)日：2013-05-10

申请号：PCT/US2012/063186

申请日：2012-11-02

Applicant: INVENSAS CORPORATION ,  MCGRATH, Scott

Inventor： MCGRATH, Scott

IPC: H01L21/60 ,  B23K20/00

CPC classification number: H01L24/43 ,  B23K20/004 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/022 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/78313 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/05552

Abstract: A bonding wedge particularly suitable for making wire off-die interconnects includes an aperture (aperture) opening onto a notch (notch) or pocket adjacent to the rear of a foot (foot). The foot includes a heel portion (heel) and a toe portion (toe). When the bonding wedge is in use, a wire is fed from feedstock through the aperture and the notch or pocket, and passes beneath the foot and extends beyond the toe. The toe is configured to mitigate upward displacement of the free end (free end) of the wire during the bonding process.

Abstract translation: 特别适用于制造线芯离线互连的接合楔包括在与脚（脚）的后部相邻的凹口（凹口）或口袋上的开口（孔）。 足部包括脚跟部分（脚后跟）和脚趾部分（脚趾）。 当使用结合楔时，电线通过孔和凹口或口袋从原料进料，并且在脚下方延伸并延伸超过脚趾。 脚趾构造成在接合过程中减轻线的自由端（自由端）的向上位移。