公开(公告)号：WO2012131817A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/JP2011/005978

申请日：2011-10-26

Applicant: パナソニック株式会社 ,  小塩 哲平 ,  松森 正史 ,  境 忠彦 ,  石川 隆稔

Inventor： 小塩　哲平 ,  松森　正史 ,  境　忠彦 ,  石川　隆稔

IPC: H01L21/607 ,  H01L21/60 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/75 ,  H01L24/97 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/758 ,  H01L2224/75842 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81026 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 　第１電極と第２電極との間の金属接合を、少なくとも銅を含む金属間の超音波接合として行う際に、第１電極と第２電極との接触界面を接合補助剤にて覆った状態にて超音波接合を行うことにより、超音波接合の実施に伴って第１電極と第２電極との接合界面に酸化膜が形成されることを抑制できるため、求められる接合強度を確保しながら、第１電極または第２電極を銅を用いた超音波接合を実現することができ、半導体素子の実装におけるコスト削減を図ることができる。

Abstract translation: 在第一电极和第二电极之间的金属接合期间，通过将包括至少铜的金属超声波接合在一起，在第一电极和第二电极的接触表面被接合辅助物覆盖的状态下进行超声波接合 。 可以抑制与超声波接合相关的第一电极和第二电极的接合表面上的氧化膜的形成，因此可以在确保所需的接合强度的同时实现第一电极和第二电极的铜的超声波接合 ，并且可以降低安装半导体元件的成本。

公开(公告)号：WO2011083524A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：PCT/JP2010/005381

申请日：2010-09-01

Applicant: パナソニック株式会社 ,  辻本晋也

Inventor： 辻本晋也

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/563 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03474 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 　半導体装置は、半導体チップ（１）と、半導体チップ（１）の上に形成された電極パッド（２）と、電極パッド（２）の上に形成されたアンダーバリアメタル（１０）と、アンダーバリアメタル（１０）の上に形成されたはんだバンプ（６）と、アンダーバリアメタル（１０）及びはんだバンプ（６）の周囲を覆うように形成されたアンダーフィル材（１８）とを有している。はんだバンプ（６）は、アンダーバリアメタル（１０）との接合界面が該アンダーバリアメタル（１０）の上面であり、アンダーフィル材（１８）は、バンプ（６）の側面とアンダーバリアメタル（１０）の端面との接合部分における角度が直角又は鈍角である。

Abstract translation: 半导体器件设置有半导体芯片（1），形成在半导体芯片（1）上的电极焊盘（2），形成在电极焊盘（2）上的下阻挡金属（10），焊料凸块（6） 形成在下阻挡金属（10）上，以及底部填充材料（18），其形成为覆盖下阻挡金属（10）的周边和焊料凸块（6）。 下阻挡金属的顶表面由焊料凸块（6）和下阻挡金属（10）接合的界面以及凸块（6）的侧表面和 下阻挡金属（10）的边缘表面被接合，是直角或钝角。

公开(公告)号：WO2017039583A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：PCT/US2015/047440

申请日：2015-08-28

Applicant: INTEL CORPORATION ,  CHEN, Chi-Mon ,  LI, Yi ,  WU, Tao ,  ZHOU, Zheng ,  SALAMA, Islam A. ,  LIU, Yueli ,  ALUR, Amruthavalli P. ,  SHARMA, Nikhil

Inventor： CHEN, Chi-Mon ,  LI, Yi ,  WU, Tao ,  ZHOU, Zheng ,  SALAMA, Islam A. ,  LIU, Yueli ,  ALUR, Amruthavalli P. ,  SHARMA, Nikhil

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/481 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/13 ,  H01L23/145 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: A microelectronic package may be fabricated by forming a microelectronic substrate having a front surface and a back surface, transferring thickness variation in the microelectronic substrate to the microelectronic substrate back surface by attaching the microelectronic substrate front surface to a first fixture, forming a sacrificial material over the microelectronic substrate back surface having a first surface opposing the microelectronic substrate back surface, removing the microelectronic substrate from the first substrate, attaching the sacrificial material first surface to a second fixture, and attaching at least one microelectronic device to the microelectronic substrate front surface. In another embodiment, a releasing layer may be disposed between the microelectronic substrate back surface and the sacrificial material.

Abstract translation: 可以通过形成具有前表面和后表面的微电子衬底来制造微电子封装，通过将微电子衬底前表面附接到第一固定件，将微电子衬底中的厚度变化传递到微电子衬底背面，从而形成牺牲材料 所述微电子衬底背表面具有与所述微电子衬底背表面相对的第一表面，从所述第一衬底移除所述微电子衬底，将所述牺牲材料第一表面附接到第二固定件，以及将至少一个微电子器件附接到所述微电子衬底前表面。 在另一个实施例中，释放层可以设置在微电子衬底背表面和牺牲材料之间。

公开(公告)号：WO2013175692A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：PCT/JP2013/001788

申请日：2013-03-15

Applicant: パナソニック株式会社

Inventor： 小塩　哲平 ,  本村　耕治 ,  圓尾　弘樹

IPC: H01L21/60 ,  B23K35/363 ,  B23K20/10

CPC classification number: B23K35/3612 ,  B23K35/362 ,  B23K35/365 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75343 ,  H01L2224/75349 ,  H01L2224/75353 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75822 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81055 ,  H01L2224/81085 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81149 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81912 ,  H01L2224/81914 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 　半導体素子の基板への実装において、接合補助剤の残存量の把握を容易にし、接合補助剤の供給量を安定させ、接合補助剤の不足を防止する。また、実装装置のメンテナンスを効率よく行えるようにするために、金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性の溶媒に、着色剤を溶解させることにより調整される、金属同士の接合を補助する接合補助剤を用いる。接合補助剤は、金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性の溶媒と、溶媒に対する溶解性を有する着色剤と、を混合する工程を有する製造方法により得られる。

Abstract translation: 本发明允许容易地确定辅助粘合剂的剩余量，使得辅助粘合剂的供给量容易稳定，以防止在将半导体元件安装在基板上时辅助粘合剂不足。 此外，为了实现安装装置的有效维护，使用有助于彼此粘合金属的辅助粘合剂，所述辅助粘合剂已经通过将着色剂溶解在具有除去金属表面氧化物的作用的还原溶剂中来调节 电影。 辅助粘合剂通过包括将除去金属表面氧化物膜的还原剂和可溶于溶剂的着色剂的还原溶剂混合在一起的制造方法获得。

公开(公告)号：WO2013161891A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：PCT/JP2013/062100

申请日：2013-04-24

Applicant: 須賀 唯知 ,  ボンドテック株式会社

Inventor： 須賀　唯知 ,  山内　朗

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K3/32

CPC classification number: H01L25/0652 ,  B23K31/02 ,  B23K37/00 ,  B23K37/0408 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/6836 ,  H01L22/10 ,  H01L23/10 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/74 ,  H01L24/742 ,  H01L24/743 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06134 ,  H01L2224/0615 ,  H01L2224/06177 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14134 ,  H01L2224/1415 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/27009 ,  H01L2224/2755 ,  H01L2224/27823 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/7531 ,  H01L2224/75501 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75802 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/75842 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/8022 ,  H01L2224/8023 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/8101 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8323 ,  H01L2224/83234 ,  H01L2224/83355 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 【課題】接合界面に樹脂などの望ましくない残存物を残さないようにして、チップとウエハとの間又は積層された複数のチップ間の電気的接続を確立し機械的強度を上げる、ウエハ上にチップを効率よく接合する技術を提供すること。 【解決手段】金属領域を有するチップ側接合面を有する複数のチップを、複数の接合部を有する基板に接合する方法が、チップ側接合面の金属領域を、表面活性化処理し、かつ親水化処理するステップ（Ｓ１）と、基板の接合部を表面活性化処理し、かつ親水化処理するステップ（Ｓ２）と、表面活性化処理されかつ親水化処理された複数のチップを、それぞれ、チップの金属領域が基板の接合部に接触するように、表面活性化処理されかつ親水化処理された基板の対応する接合部上に取り付けるステップ（Ｓ３）と、基板と基板上に取り付けられた複数のチップとを含む構造体を加熱するステップ（Ｓ４）とを備える。

Abstract translation: [问题]提供一种用于将晶片高效地接合到晶片而不在接合界面上留下不需要的残留物（例如树脂）的技术，建立芯片和晶片之间或多个分层芯片之间的电连接并增加机械强度。 [解决方案]本发明的用于将包含金属区域的芯片侧接合表面的多个芯片接合到包括多个接合部分的基板的本发明的方法具有以下步骤：（S1）其中芯片的金属区域 接合表面进行表面活化处理和亲水化处理; 步骤（S2），其中对所述基板的接合部进行表面活化处理和亲水化处理; 已经进行表面活化处理和亲水化处理的多个芯片中的每一个被附着到已进行了表面活化处理和亲水化处理的基板上的相应接合部分的步骤（S3） 处理，使得芯片的金属区域与基板的接合部分接触; 以及步骤（S4），其中包括基板和附接到基板的多个芯片的结构被加热。

公开(公告)号：WO2012167027A2

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：PCT/US2012/040388

申请日：2012-06-01

Applicant: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED ,  TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED ,  WEST, Jeffrey, Alan

Inventor： WEST, Jeffrey, Alan

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/538 ,  H01L21/563 ,  H01L23/481 ,  H01L23/562 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13566 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/13671 ,  H01L2224/13673 ,  H01L2224/13681 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/1613 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01074

Abstract: A method (100) of protecting through-substrate via (TSV) die from bonding damage includes providing a substrate including a plurality of TSV die having a topside including active circuitry, a bottomside, and a plurality of TSVs that include an inner metal core that reaches from the topside to protruding TSV tips that extend out from the bottomside (101). A protective layer is formed on or applied to the bottomside of the TSV die including between and over the protruding TSV tips (102). The TSV die is bonded with its topside down onto a workpiece having a workpiece surface and its bottomside up and in contact with a bond head (104). The protective layer reduces damage from the bonding process including warpage of the TSV die by preventing the bond head from making direct contact to the protruding TSV tips.

Abstract translation: 保护通过（TSV）管芯的通过衬底的接合损伤的方法（100）包括提供包括多个TSV管芯的衬底，所述TSV管芯具有包括有源电路，底部和多个TSV的顶部，所述TSV包括内部金属芯， 从顶部到达突出的TSV尖端，从底部延伸出来（101）。 在TSV管芯的底部上形成保护层，包括在突出的TSV尖端（102）之间和之上。 TSV模具的上下结合到具有工件表面的工件上，并且其底部向上并与接合头（104）接触。 保护层通过防止接合头与突出的TSV尖端直接接触来减少接合过程中的损伤，包括TSV模头的翘曲。

公开(公告)号：WO2012116963A1

公开(公告)日：2012-09-07

申请号：PCT/EP2012/053297

申请日：2012-02-28

Applicant: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES ,  CHARLET, Barbara

Inventor： CHARLET, Barbara

IPC: H05K3/30

CPC classification number: H05K3/305 ,  G06K19/077 ,  H01L23/49855 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/29194 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/01079 ,  H05K1/189 ,  H05K13/0469 ,  H05K2201/10098 ,  H05K2203/0557 ,  H05K2203/0786 ,  H05K2203/095 ,  H05K2203/1173 ,  Y02P70/613 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

Abstract: Procédé d'assemblage d'au moins un composant électronique (100) sur un support (102), comportant au moins les étapes de : - traitement apte à rendre hydrophile au moins une zone (116) du support destinée à recevoir le composant électronique, - dépôt d'un volume d'eau sur ladite zone du support, - dispersion, sur le support, d'une colle en poudre soluble dans l'eau, formant, par dissolution de la colle en poudre dans le volume d'eau, un volume de colle aqueuse sur ladite zone du support, - placement du composant électronique sur le volume de colle aqueuse, - séchage du volume de colle aqueuse, formant une interface de collage (126) solidarisant le composant électronique au support.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于将至少一个电子部件（100）组装到基底（102）上的方法，该方法至少包括以下步骤：施加用于再现基底的至少一个区域（116）的处理，以接收电子部件 亲水性; 在衬底的所述区域上沉积一定量的水; 将水溶性粉末粘合剂分散在基材上，以便通过粉末状粘合剂溶解在水的量中在基材的所述区域上形成一定量的水性粘合剂; 将电子部件放置在水性粘合剂的量上; 以及干燥所述水性粘合剂的量以便形成将所述电子部件固定到所述基材上的粘附界面（126）。

公开(公告)号：WO2011030753A1

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：PCT/JP2010/065312

申请日：2010-09-07

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  岩津 春生

Inventor： 岩津　春生

IPC: H01L25/065 ,  B23K1/00 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L24/94 ,  B23K1/0016 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/544 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/06517 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81054 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

Abstract: 　第１の基板および第２の基板を積層し、前記第１の基板上に形成される第１の電極パッドと、前記第２の基板上に形成され、前記第１の電極パッドに対応する第２の電極パッドとを電気的に接続することにより形成される半導体装置の製造方法が開示される。この製造方法は前記第１の電極パッドを親水化処理する第１の親水化処理工程と、前記第１の基板上の前記第１の電極パッドの形成された面に液体を供給する液体供給工程と、前記液体の供給された前記第１の基板上に、前記第１の電極パッドの形成された面と前記第２の電極パッドの形成された面とを対向させて前記第２の基板を載置する載置工程と、を含む。前記載置工程において、前記液体により、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとの位置合わせが行われる。

Abstract translation: 公开了一种半导体器件的制造方法，其中层叠有第一基板和第二基板，以及形成在第一基板上的第一电极焊盘和形成在第二基板上并对应于第一电极的第二电极焊盘 焊盘电连接，从而形成半导体器件。 制造方法包括：赋予亲水性的第一处理步骤，其中对第一电极焊盘进行处理以赋予其亲水性; 液体供给步骤，其中液体被供应到形成有第一电极焊盘的第一基板的表面; 以及安装步骤，其中将第二基板安装在供应液体的第一基板上，形成有第一电极焊盘的表面和形成相对的第二电极焊盘的表面。 在安装步骤中，第一电极焊盘和第二电极焊盘通过液体位置对准。