半導体装置の製造方法
    3.
    发明申请
    半導体装置の製造方法 审中-公开
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:WO2013141149A1

    公开(公告)日:2013-09-26

    申请号:PCT/JP2013/057366

    申请日:2013-03-15

    Abstract:  半導体素子が高温で動作した場合にも、接合部に長時間にわたる安定性を確保できる半導体装置を提供することにある。還元性官能基を有する高分子試薬が有機溶媒に溶解している溶液を準備する工程と、両面に金属層が形成されている絶縁基板を溶液に浸漬する工程と、片面に金属層が形成されている半導体チップを溶液に浸漬する工程と、浸漬する工程を経た絶縁基板と浸漬する工程を経た半導体チップを、接触させ、加圧しながら加熱し、絶縁基板と半導体チップとの接合体を作成する工程とを備えている半導体装置の製造方法。

    Abstract translation: 为了提供半导体器件,其中即使在半导体元件在高温下操作的情况下,其长时间地确保接合部分的稳定性。 一种制造半导体器件的方法,包括:通过将具有还原官能团的聚合物试剂溶解在有机溶剂中制备溶液的步骤; 其中将绝缘基板的两个表面设置有金属层的步骤浸入溶液中; 其中将一个表面设置有金属层的半导体芯片浸入溶液中的步骤; 以及浸渍步骤后的绝缘基板和浸渍工序后的半导体芯片彼此接触并在加压下加热,从而形成绝缘基板和半导体芯片的组装的步骤。

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