公开(公告)号：CN104282650A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201310422113.6

申请日：2013-09-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴志伟 ,  卢思维 ,  林俊成

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/525 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3157 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/34 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/10 ,  H01L23/147 ,  H01L23/16 ,  H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2021/6024 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/02235 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0226 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11318 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/17505 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/92124 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种半导体封装件，包括中介层芯片，其具有正面、后面和位于背面上由中介层芯片的第一拐角边缘和第二拐角边缘限定的拐角区。管芯接合至中介层芯片的正面。至少一个坝体结构形成于中介层芯片背面的拐角区上。坝体结构包括与中介层芯片的第一拐角边缘和第二拐角边缘中的至少一个边缘对齐的边缘。本发明还提供了一种形成组件的方法。

公开(公告)号：CN104217997A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201310710945.8

申请日：2013-12-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林士庭 ,  叶宫辰 ,  卢思维 ,  林俊成

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/683 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/18 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/055 ,  H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/1144 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L21/304 ,  H01L2224/11 ,  H01L2221/683 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的实施例包括半导体器件和形成半导体器件的方法。一个实施例是形成半导体器件的方法，该方法包括：将管芯接合至第一衬底的顶面，管芯电连接至第一衬底；以及在第一衬底的顶面上形成支撑结构，支撑结构与管芯物理间隔开，支撑结构的顶面与管芯的顶面共面。该方法进一步包括对第一衬底实施锯切工艺，该锯切工艺锯切穿过支撑结构。本发明还公开了3D的封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN102637610B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201210029734.3

申请日：2012-02-10

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： O.艾兴格 ,  A.海因里希 ,  K.勒斯尔

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  B81C1/00

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/93 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/27426 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/29018 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83345 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83898 ,  H01L2224/83906 ,  H01L2224/93 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明涉及用于在载体上安装半导体芯片的方法。一种方法包括提供具有第一主表面和沉积在第一主表面上的焊料层的半导体芯片，其中所述焊料层具有至少1μm的粗糙度。将半导体芯片放置在载体上，其中半导体芯片的第一主表面面向所述载体。以第一主表面的每mm2的表面积至少1牛顿的压力将半导体芯片按压在所述载体上，并且对焊料施加热量。

公开(公告)号：CN104099653A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201310680470.2

申请日：2013-12-11

申请人： 南茂科技股份有限公司

发明人： 郑世杰 ,  卢东宝

IPC分类号： C25D7/12 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/4853 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11906 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/8159 ,  H01L2224/8169 ,  H01L2224/81744 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/1146

摘要： 本发明提供一种用于制造一半导体结构的方法。该方法包括：在一半导体晶粒上形成一导电衬垫；在该导电衬垫上方形成一晶种层；在该晶种层上方界定一第一遮罩层；及在该第一遮罩层中形成一银合金凸块本体。该在该第一遮罩层中形成一银合金凸块本体包括以下操作：制备一第一基于氰化物的电镀浴；将该第一基于氰化物的电镀浴的一pH值控制在6至8的一范围内；将该半导体晶粒浸没至该第一基于氰化物的电镀浴中；及将0.1ASD至0.5ASD的一电镀电流密度施加至该半导体晶粒。

公开(公告)号：CN101978483B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN200880125542.4

申请日：2008-11-10

申请人： 斯盖沃克斯解决方案公司

发明人： S·X·梁

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/14 ,  B81B7/0077 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/315 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H03H9/0523 ,  H03H9/059 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

摘要： 在倒装芯片裸片粘结工艺期间在选定的裸片部分下面就地形成空腔的倒装芯片半导体封装装置和方法。倒装芯片半导体元件的封装方法包括提供有第一表面的裸片；在裸片的第一表面上形成屏障，该屏障至少部份地在裸片的第一表面上围住某个指定位置；把裸片按倒装芯片配置粘结到基体上，以及让模塑料在裸片上以及至少在一部分基体上流动。把裸片粘结到基体上包括使屏障和基体之间这样接触，以致模塑料的流动被该屏障阻挡在裸片和基体之间提供空腔，该空腔接近裸片第一表面上的指定位置。

公开(公告)号：CN103633099A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310436116.5

申请日：2005-06-02

申请人： 伊利诺伊大学评议会

发明人： R·G·纳佐 ,  J·A·罗杰斯 ,  E·梅纳德 ,  李建宰 ,  姜达荣 ,  孙玉刚 ,  M·梅尔特 ,  朱正涛

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L29/76 ,  B81C2201/0185 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/308 ,  H01L21/322 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1896 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80862 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15162 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S977/707 ,  Y10S977/724 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供用于制造可印刷半导体元件并将可印刷半导体元件组装至基片表面上的方法。本发明的方法和设备组件能在含有聚合物材料的基片上产生多种柔性电子和光电子器件以及器件阵列。本发明还提供能在拉伸状态下具有良好性能的可拉伸半导体元件及可拉伸电子器件。

公开(公告)号：CN103426855A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201210192571.0

申请日：2012-06-12

申请人： 矽品精密工业股份有限公司

发明人： 萧惟中 ,  林俊贤 ,  白裕呈 ,  洪良易 ,  孙铭成 ,  唐绍祖 ,  蔡瀛洲 ,  蓝章益

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件的制法包括先于第一承载板上制作封装基板，再结合第二承载板于该封装基板上；接着，移除该第一承载板；之后于该封装基板上进行置晶与封装工艺；最后移除该第二承载板。借由该第一与第二承载板提供该封装基板于工艺中足够的刚性，使该封装基板可朝薄型化作设计，且不会发生碎裂或翘曲的情况。

公开(公告)号：CN103367245A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310113188.6

申请日：2013-04-02

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 霍斯特·托伊斯

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01023

摘要： 本发明公开了一种形成半导体器件的方法。在一个实施例中，半导体器件形成方法包括堆叠第一晶圆和第二晶圆、以及在第二晶圆堆叠有第一晶圆的同时，形成延伸通过第二晶圆的贯穿过孔。在另一个实施例中，形成半导体器件的方法包括将第一晶圆单个化成第一多个晶片中、以及在具有第二多个晶片的第二晶圆上附接第一多个晶片。该方法进一步包括在第二晶圆上附接第一多个晶片之后，形成延伸通过第一多个晶片中的晶片的贯穿过孔。

公开(公告)号：CN103098204A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180043340.7

申请日：2011-09-09

申请人： 超威半导体公司 ,  ATI科技无限责任公司

发明人： 布莱恩·布莱克 ,  迈克尔·Z·苏 ,  贾迈尔·里法伊-艾哈迈德 ,  乔·西格尔 ,  塞思·普雷让

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了一种具有导电通孔的半导体芯片及其制造方法。所述方法包括在第一半导体芯片（15）的一层（80）中形成第一多个导电通孔（115、120、125）。所述第一多个导电通孔包括第一末端（127）和第二末端（129）。第一导体垫（65）形成为与所述第一多个导电通孔的所述第一末端（127）欧姆接触。

公开(公告)号：CN101652846B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200880011004.2

申请日：2008-06-05

申请人： 丘费尔资产股份有限公司

发明人： 约翰·特雷扎

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L24/11 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 一种建立电连接的方法，包括：在两个不同的芯片(802，804)中的每一个上设置触点对(808，810)中的一个触点，所述触点对限定它们之间的体积，所述体积容纳至少两个各自具有熔点的成分，所述成分已被选择使得加热到第一温度将在所述至少两个成分中的至少一个成分中引起改变，所述改变将产生新成分，该新成分具有第二温度的新成分熔点，所述新成分熔点高于所述第一温度和所述至少两个成分中的至少第一个成分的熔点；以及将所述触点对和所述至少两个成分加热到所述第一温度。该方法在芯片堆叠的制造中是很有用的，在堆叠的制造中保持焊料的层次是很重要的，该方法允许用于接合芯片触点的相同的成分被用在每个芯片与芯片的交界面处。