公开(公告)号：CN108281410A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201711462241.8

申请日：2013-06-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林育蔚 ,  吴胜郁 ,  曾裕仁 ,  郭庭豪 ,  陈承先

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02141 ,  H01L2224/02145 ,  H01L2224/0215 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05114 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13551 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/301 ,  H01L2924/35 ,  Y10T29/49144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了凸块导线直连(BOT)结构的一个实施例，包括：由集成电路支撑的接触元件、与接触元件电连接的凸块下金属(UBM)部件、设置在凸块下金属部件和集成电路之间的绝缘层和钝化层；安装在凸块下金属部件上的金属梯状凸块和安装在衬底上的衬底导线，其中，金属梯状凸块具有第一楔形轮廓，并具有最接近集成电路的安装端和离集成电路最远的末端，末端的宽度介于10μm至80μm之间，安装端的宽度介于20μm至90μm之间，该衬底导线具有第二楔形轮廓并且通过直接金属与金属接合连接至金属梯状凸块。可以以类似的方式制造芯片与芯片结构的实施例。本发明还提供了互连结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN105609430B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201510802368.4

申请日：2015-11-19

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 张根豪 ,  姜芸炳 ,  赵泰济

IPC分类号： H01L21/58

CPC分类号： H01L21/6836 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/36 ,  H01L23/544 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13613 ,  H01L2224/1362 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/14519 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/18161

摘要： 本发明提供了制造半导体封装件的方法。所述方法包括步骤：在衬底的第一表面上形成包括金属的保护层，以覆盖设置在衬底的第一表面上的半导体器件；利用粘合构件将支承衬底附着至保护层；处理与保护层相对的衬底的第二表面，以去除衬底的一部分；以及将支承衬底从衬底拆卸。

公开(公告)号：CN107665873A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710627881.3

申请日：2017-07-28

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 梁正道 ,  黃晸護 ,  宋常铉 ,  赵正然 ,  河承和

IPC分类号： H01L23/488 ,  G09G3/36 ,  G09G3/3208

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05013 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1426 ,  H01L2924/3512 ,  G09G3/3208 ,  G09G3/36 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/16238

摘要： 示例性实施方式提供了一种集成电路芯片和显示设备，该集成电路芯片包括：基板、设置在基板上的端子电极、以及设置在端子电极上的电极焊盘，其中，电极焊盘包括：凸块结构，其从基板突出以包括短边和长边；以及凸块电极，其设置在所述凸块结构上并且在所述凸块结构的短边缘部分附近与端子电极连接，其中，凸块电极被设置成不覆盖凸块结构的长边缘部分的至少一部分。

公开(公告)号：CN106469697A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610090319.7

申请日：2016-02-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨天中 ,  黄麟智 ,  陈宪伟 ,  苏安治 ,  黄立贤

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/485 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/03 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/20 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2021/60022 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/11466 ,  H01L2224/11602 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/03 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L24/02 ,  H01L24/07 ,  H01L24/15 ,  H01L24/26 ,  H01L24/27 ,  H01L24/31

摘要： 一种半导体器件包括半导体衬底、位于半导体衬底上的导电焊盘以及位于导电焊盘上方的导体。半导体器件还具有设置在半导体衬底上方并环绕导体的聚合材料。半导体器件还包括位于导体和聚合材料之间的导电层。在半导体器件中，导电层和聚合材料之间的粘合强度大于聚合材料和导体之间的粘合强度。本发明还提供了半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN106465545A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580033193.3

申请日：2015-06-11

申请人： 德卡技术股份有限公司

发明人： C.M.斯坎伦 ,  C.毕晓普

IPC分类号： H05K3/02 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L22/32 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/78 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/544 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/0217 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/037 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/117 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03

摘要： 本发明描述了一种半导体器件，以及通过动态通孔剪切而进行的用于板式封装的自适性图案化的方法。可形成面板，所述面板包括围绕多个半导体裸片设置的包封材料。可测量所述面板内的所述多个半导体裸片各自的实际位置。可形成重分布导电层(RDL)，所述重分布导电层包括与所述多个半导体裸片各自的所述实际位置对准的第一捕获焊盘。可形成多个第二捕获焊盘，所述多个第二捕获焊盘至少部分地设置在所述第一捕获焊盘上，且与所述多个半导体封装件各自的封装轮廓对准。可调整多个导电通孔的标称占位面积，以弥补每个半导体裸片与其对应封装轮廓之间的未对准。

公开(公告)号：CN106033752A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201510120701.3

申请日：2015-03-19

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 廖国成 ,  陈家庆 ,  丁一权

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/11436 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1161 ,  H01L2224/13008 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/16012 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16014 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16108 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/007 ,  H05K3/205 ,  H05K3/4682 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种半导体封装结构，其包含半导体衬底、半导体芯片及导电材料。所述半导体衬底包含绝缘层、导电电路层及导电凸块。所述导电电路层从所述绝缘层的顶表面凹入，且包含至少一个衬垫。所述导电凸块安置在所述至少一个衬垫上。所述导电凸块的侧表面、所述至少一个衬垫的顶表面及所述绝缘层的侧表面一起界定容置空间。所述导电材料电连接所述导电凸块与所述半导体芯片，且所述导电材料的一部分安置在所述容置空间中。

公开(公告)号：CN103377955B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201210365144.8

申请日：2012-09-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  李明机 ,  刘重希 ,  陈孟泽 ,  林威宏 ,  郑明达

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L24/05 ,  B23K35/001 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/22 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3613 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08113 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1355 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

摘要： 所述的形成叠层封装件(PoP)结构的机构的实施例包括将具有非焊料金属球的连接件接合至封装衬底。非焊料金属球可以包括焊料涂覆层。具有非焊料金属球的连接件可以基本上保持连接件的形状并且控制上封装件和下封装件之间的接合结构的高度。具有非焊料金属球的连接件不太可能导致连接件之间的桥接或者接合连接件的断路(虚焊)。结果，具有非焊料金属球的连接件的间距可保持很小。本发明还包括叠层封装件结构的形成方法。

公开(公告)号：CN103855118A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310647631.8

申请日：2013-12-04

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 大部功 ,  长壁伸也

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2924/351 ,  H03F1/56 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/451 ,  H03H9/0514 ,  H03H9/059 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的目的在于提供一种带凸部的电子元器件及带凸部的电子元器件的制造方法。该带凸部的电子元器件及带凸部的电子元器件的制造方法用于防止半导体芯片的特性变化及半导体基板与安装基板之间的连接不良。带凸部的电子元器件包括：电路基板（1）；以及多个凸部（B1、B2），该多个凸部（B1、B2）形成于电路基板（1）的基板主面上，所述多个凸部（B1、B2）在与基板主面平行的方向上的截面积不同。另外，凸部（B1、B2）中截面积较小的凸部（B1）在垂直方向上具有高度调整层（5）。

公开(公告)号：CN105980840B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201580007271.2

申请日：2015-01-14

申请人： ams有限公司

发明人： 约亨·克拉夫特 ,  卡尔·罗拉赫尔 ,  马丁·施雷姆斯

IPC分类号： G01N27/12

CPC分类号： H01L24/02 ,  G01N27/12 ,  G01N27/128 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02315 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/1161 ,  H01L2224/11616 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 在半导体衬底(1)上或上方的介电层(2)中形成包括电导体(4、5、6、7)的布线(3)，在所述介电层中形成开口使由所述导体之一形成的接触焊垫(8)露出，并且在所述介电层中形成另一开口使与所述接触焊垫分离的另一导体(5)的区域露出。用导电材料(9)填充所述另一开口，并且从与所述衬底相对的侧使所述介电层变薄，从而使得所述导电材料从所述介电层凸起。

公开(公告)号：CN108807317A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710834344.6

申请日：2017-09-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 葛贝夫·辛格 ,  李智铭 ,  林其谚 ,  郭文昌 ,  刘洲宗

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/06 ,  G06F17/5072 ,  G06F17/5081 ,  H01L21/78 ,  H01L22/34 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L29/0649 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03827 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/061 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/1308

摘要： 一种半导体装置的制造方法，包含形成第一接触衬垫及第二接触衬垫在第一钝化层上、沉积第一缓冲层在第一接触衬垫及第二接触衬垫上，以及沉积第二缓冲层在第一缓冲层及第二接触衬垫上。第一接触衬垫是在电路区域内，且第二接触衬垫是在非电路区域内。第二接触衬垫的边缘是被暴露，而第一接触衬垫的周围及第二接触衬垫的边缘是被第一缓冲层覆盖。