公开(公告)号：CN108695264A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810312732.2

申请日：2018-04-09

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 坂田贤治 ,  秋叶俊彦 ,  船矢琢央 ,  土屋秀昭 ,  吉田裕一

IPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02206 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1713 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/47 ,  H01L23/488 ,  H01L23/13

摘要： 本申请涉及半导体器件。旨在提高半导体器件的可靠性。半导体器件包括印刷电路板和安装在印刷电路板上方的半导体芯片。该半导体芯片包括焊盘、包括露出焊盘的一部分的开口的绝缘膜以及形成在从开口露出的焊盘上方的柱电极。印刷电路板包括端子和包括用于露出端子的一部分的开口的抗蚀剂层。半导体芯片的柱电极和印刷电路板的端子经由焊料层耦合。从绝缘膜的上表面测量柱电极的厚度h1。从抗蚀剂层的上表面测量焊料层的厚度h2。厚度h1大于或等于厚度h2的一半并且小于或等于厚度h2。

公开(公告)号：CN108305861A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201710021189.6

申请日：2017-01-12

申请人： 中芯长电半导体(江阴)有限公司

发明人： 葛飞 ,  吴欣华

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/11 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11849

摘要： 本发明提供一种干刻预处理方法，包括以下步骤：1)提供一具有铜柱的芯片，且所述铜柱的上方具有焊料层；2)将所述芯片置于真空反应腔中，并进行氧化气体或所述氧化气体混合惰性气体干刻预处理，使得所述铜柱外表面形成氧化铜；3)高温回流所述焊料层，形成焊料凸点。本发明中公开的方法是在高温回流前加一步氧化气体干刻预处理工艺让铜柱侧壁氧化，避免焊料层经高温回流后发生流淌现象，且对保护层的刻蚀量为零，提高了芯片的可靠性和稳定性，本发明的干刻预处理方法低成本，零伤害，高效率，有效克服了现有技术中的种种缺点。

公开(公告)号：CN104769711B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201380057472.4

申请日：2013-10-30

申请人： 高通股份有限公司

发明人： Y·孙 ,  L·赵 ,  M·韩

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L29/43 ,  B81B2207/093 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/768 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L29/84 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/1183 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13163 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13687 ,  H01L2224/13688 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/0109 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 一种导电互连(340、440、540、640)包括导电支承层(330、430、530、630)，在该导电支承层(330、430、530、630)上的导电材料(320、520、620)，以及部分地包围该导电材料(320、520、620)的无机套环(350、450、550、650)。无机套环(350、450、550、650)也被布置在导电支承层(330、430、530、630)的侧壁上。一种制造导电互连(340、440、540、640)的方法包括在籽晶层(304、504)上制造导电材料(320、520、620)，形成有机套环(310、510)以部分地包围该导电材料(320、520、620)，蚀刻导电籽晶层(304、504)以形成导电支承层(330、430、530、630)，以及进行加热以将有机套环(310、510)转变为无机套环(350、450、550、650)，该无机套环(350、450、550、650)部分地包围导电材料(320、520、620)并布置在导电支承层(330、430、530、630)的侧壁上。有机套环(310、510)可通过在导电材料(320、520、620)上沉积光敏旋涂电介质材料并图案化该光敏旋涂电介质材料来形成。导电材料(620)可以是单个导电材料(320)或者可包括由势垒层分隔的第一导电层(332)和第二导电层(324)的堆叠，在这种情况下加热步骤还导致导电材料堆叠中的第二导电层(324)的回流。

公开(公告)号：CN105374775B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201410443164.1

申请日：2014-09-02

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 金晨 ,  乔中辰

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L2224/11 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083

摘要： 本申请提供了一种焊盘、半导体器件和半导体器件的制造工艺。焊盘包括：金属柱，金属柱的第一端具有凹部；焊料凸块，焊料凸块设置在金属柱的凹部处；焊垫，焊垫与金属柱的第二端连接。由于金属柱的第一端具有凹部，且焊料凸块设置在金属柱的凹部处，因而有效防止焊料凸块在回流工艺时顺着金属柱的边缘流下形成介金属化合物，从而有效避免焊料凸块过多消耗和金属柱机械强度变弱，进而提高了半导体器件的封装可靠性。同时，本申请中的焊盘具有结构简单、制造成本低的特点。

公开(公告)号：CN105047619B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201510187746.2

申请日：2015-04-20

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 何彦仕 ,  何志伟 ,  刘沧宇

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L23/49811 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/093 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06151 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06165 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/4801 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81469 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明揭露一种晶片堆叠封装体及其制造方法。该晶片堆叠封装体包括：至少一第一基底，其具有一第一侧及相对的一第二侧，且包括一凹口及多个重布线层，凹口位于第一基底内且邻接其一侧边，多个重布线层设置于第一基底上且延伸至凹口的一底部；至少一第二基底，设置于第一基底的第一侧；多个焊线，对应设置于凹口内的重布线层上，且延伸至第二基底上；以及至少一装置基底，设置于第一基底的第二侧。本发明可有效降低晶片堆叠封装体的整体尺寸。

公开(公告)号：CN104064477B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201410055269.X

申请日：2014-02-18

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 渡边正树 ,  马场伸治 ,  德永宗治 ,  岩崎俊宽

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/1607 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17134 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

摘要： 为了提高半导体装置的倒装芯片焊接的连接可靠性。在半导体装置的制造中使用下述的配线基板，在该配线基板中，横跨该配线基板上表面上的阻焊膜的开口区域的配线的一侧上具有凸点电极，另一侧上具有其上无凸点电极的多个宽幅部分，通过使用上述的配线基板可以在焊料预涂覆步骤中的回流处理期间将所述配线上的焊料分散至各个宽幅部分。这样的配置可以减小各端子上的焊料和各宽幅部分上的焊料之间的高度差，从而增强倒装芯片焊接中的连接可靠性。

公开(公告)号：CN107078133A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201680003401.X

申请日：2016-04-29

申请人： 德卡技术股份有限公司

发明人： C.M.斯坎伦

IPC分类号： H01L27/00

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/52 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83911 ,  H01L2224/83913 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L22/00 ,  H01L21/56 ,  H01L2224/8391

摘要： 本发明公开了一种制备半导体部件封装的方法，该方法可包括：提供包括导电迹线的基板；利用焊料将表面安装装置(SMD)焊接至该基板；利用第一模制化合物在该SMD上方并围绕该SMD包封该基板上的该SMD以形成部件组件；以及将该部件组件安装至临时载体，其中该部件组件的第一侧面朝向该临时载体取向。该方法还可包括：将包括导电互连件的半导体模片邻近该部件组件安装至该临时载体；利用第二模制化合物包封该部件组件和该半导体模片以形成重构板材；以及使该导电互连件和导电迹线相对于该第二模制化合物暴露在该部件组件的第一侧面和第二侧面处。

公开(公告)号：CN106997855A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201611222981.X

申请日：2016-12-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 潘国龙 ,  刘重希 ,  蔡豪益 ,  陈玉芬 ,  郑余任

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： B81C1/0023 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00888 ,  B81C2203/0792 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/13 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H05K999/00 ,  H05K999/99 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2224/11 ,  H01L24/03 ,  H01L23/488 ,  H01L24/27

摘要： 本发明的实施例提供了一种集成电路封装件以及其形成方法。一种方法包括将第一管芯和第二管芯附接至载体，第一管芯具有第一接触焊盘，第二管芯具有第二接触焊盘，第一接触焊盘和第二接触焊盘具有不同的结构。释放层形成在第一管芯和第二管芯上方。在载体和释放层之间注射包封剂。在第一管芯、第二管芯和包封剂上方形成一个或多个再分布层(RDL)，第一接触焊盘和第二接触焊盘与一个或多个RDL电接触。

公开(公告)号：CN102347253B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201110255476.6

申请日：2011-07-26

申请人： 新科金朋有限公司

发明人： 林耀剑 ,  陈康 ,  方建敏 ,  冯霞

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02321 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明涉及在接触焊盘上形成再分布层的方法和半导体器件。一种半导体器件包括具有有源表面的半导体管芯。第一导电层形成在该有源表面上。第一绝缘层形成在有源表面上。第二绝缘层形成在该第一绝缘层和第一导电层上。在该第一导电层上去除第二绝缘层的一部分以使第二绝缘层没有任何部分覆盖在该第一导电层上。第二导电层形成在该第一导电层和第一和第二绝缘层上。该第二导电层在该第一导电层上延伸上至该第一绝缘层。备选地，该第二导电层横跨该第一导电层延伸上至该第一导电层相对侧上的该第一绝缘层。在该第二导电层和第一和第二绝缘层上形成第三绝缘层。

公开(公告)号：CN104425389B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201410446263.5

申请日：2014-09-03

申请人： 千住金属工业株式会社

发明人： 服部贵洋 ,  相马大辅 ,  佐藤勇

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： B23K1/203 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/20 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13117 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13123 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13149 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13179 ,  H01L2224/1318 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13605 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13613 ,  H01L2224/13616 ,  H01L2224/13617 ,  H01L2224/13618 ,  H01L2224/1362 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13638 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/1366 ,  H01L2224/13671 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/384 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10234 ,  H05K2201/10621 ,  H05K2201/10734 ,  H05K2203/041 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01015

摘要： 本发明涉及凸块电极、凸块电极基板以及其制造方法，研究焊料镀层的熔融工序，以便在电极焊盘上可以将成为凸块电极的核层的Cu球的中心在其水平截面上再现性良好地配置于所包覆的焊料的外壳的中心。具备接合于电极焊盘(12)上、施加焊料(14)到成为核层的Cu球(13)上的凸块电极(30)，在凸块电极(30)涂布助焊剂(16)之后，搭载于电极焊盘(12)上，加热电极焊盘(12)以及Cu核球而将焊料镀层(24)熔融的熔融工序中，将搭载有电极焊盘(12)以及Cu核球的基板(11)的加热率设定为0.01[℃/sec]以上～不足0.3[℃/sec]的范围。