公开(公告)号：CN1303854C

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200410001880.0

申请日：2000-08-04

申请人： 富士通株式会社

发明人： 马场俊二 ,  山上高丰 ,  海沼则夫 ,  小八重健二 ,  吉良秀彦 ,  小林弘

IPC分类号： H05K3/34 ,  H01L21/607 ,  G11B5/48

CPC分类号： H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 安装半导体芯片的方法和装置，所述方法包括以下步骤：按压半导体芯片，同时将绝缘粘合剂置于提供有突点的半导体芯片和提供有焊盘的基板之间，以及将突点超声焊接到焊盘上，其中将对于半导体芯片和焊接工具的摩擦系数比半导体芯片和焊接工具之间的摩擦系数大的薄片置于半导体芯片和焊接工具之间，由此进行超声焊接；所述装置包括焊接工具以及移动和放置所述薄片的工具。

公开(公告)号：CN106463493B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201580023775.3

申请日：2015-05-05

申请人： 高通股份有限公司

发明人： H·B·蔚 ,  D·W·金 ,  J·S·李 ,  S·顾 ,  R·拉多伊契奇

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/98 ,  H01L25/10

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81466 ,  H01L2224/81484 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/20648 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/09 ,  H05K1/115 ,  H05K2201/09563 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81

摘要： 提供了具有增大的宽度的基板块。该基板块包括两个基板条，并且这些基板条各自包括基板以及穿过该基板的多个经填充通孔。该基板块可被用于制造封装基板，并且这些封装基板可以被纳入到PoP结构中。该封装基板包括具有多个垂直互连的载体以及耦合至该垂直互连的条。

公开(公告)号：CN106847784B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201710061288.7

申请日：2012-06-29

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 绀野顺平 ,  西田隆文 ,  木下顺弘 ,  长谷川和功 ,  杉山道昭

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/683 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/14153 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

摘要： 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。提供一种可提高半导体器件可靠性的技术。在倒装芯片的连接工序中，通过对预先装载在突起电极(4)的顶端面的焊锡以及预先涂布在引脚(焊接引线)(11)上的焊锡进行加热，以使其一体化并电连接。其中，所述引脚(11)包括具有第一宽度(W1)的宽截面(第一部分)(11w)和具有第二宽度(W2)的窄截面(第二部分)(11n)。通过对焊锡进行加热，可使配置在窄截面(11n)上的焊锡的厚度比配置在宽截面(11w)上的焊锡的厚度薄。接着，在倒装芯片的连接工序中，将突起电极(4)配置并接合在窄截面(11n)上。由此，可减少焊锡的渗出量。

公开(公告)号：CN108878637A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810418879.X

申请日：2018-05-03

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 大桥幸司 ,  小岛力 ,  松田洋史 ,  铃木博则 ,  田中秀一

IPC分类号： H01L41/047 ,  H01L41/053 ,  H01L41/23 ,  H01L41/25 ,  H01L41/29

CPC分类号： B06B1/067 ,  A61B8/14 ,  A61B8/4427 ,  A61B8/4455 ,  A61B8/4494 ,  B06B1/0629 ,  B06B2201/76 ,  G01N29/245 ,  G01N2291/02466 ,  G01N2291/02475 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L41/0475 ,  H01L41/053 ,  H01L41/0825 ,  H01L41/23 ,  H01L41/29 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81466 ,  H01L2224/81471 ,  H01L2224/81484 ,  H01L2224/81901 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01024 ,  H01L41/25

摘要： 本发明涉及安装结构体、超声波器件、超声波探头及超声波装置。安装结构体具备：第一基板，具有设置有功能元件的第一面；配线部，设置在第一面的与功能元件不同的位置上，并连接于功能元件；第二基板，具有与第一面相对的第二面；以及导通部，设置于第二面，与配线部连接，并连接于功能元件，其中，功能元件与第二基板的最短距离比配线部和导通部连接的位置与第二基板的距离更长。

公开(公告)号：CN105592636B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201510741043.X

申请日：2015-11-04

申请人： 富士通株式会社

发明人： 上村泰纪 ,  清水浩三 ,  作山诚树

IPC分类号： H05K3/34 ,  C22C30/04 ,  C22C30/00 ,  C22C28/00 ,  C22C13/00

CPC分类号： H01L24/81 ,  B23K35/26 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81098 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81211 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/3511 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/047 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种电装置及其制造方法。电装置包括：第一电部件、第二电部件、以及连接第一电部件与第二电部件的In‑Sn‑Ag合金，所述In‑Sn‑Ag合金包含AgIn2和Ag2In，Ag2In含量低于AgIn2含量。

公开(公告)号：CN108140628A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680058117.2

申请日：2016-10-07

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 胁山悟 ,  清水完 ,  林利彦 ,  中村卓矢 ,  城直树

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81469 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明涉及摄像装置，所述摄像装置包括第一半导体元件，所述第一半导体元件包括至少一个具有凹陷形状的凸块焊盘。所述至少一个凸块焊盘包括第一金属层和所述第一金属层上的第二金属层。所述摄像装置包括第二半导体元件，所述第二半导体元件包括至少一个电极。所述摄像装置包括微凸块，所述微凸块将所述至少一个凸块焊盘电气地连接到所述至少一个电极。所述微凸块包括所述第二金属层的扩散部，并且所述第一半导体元件或者所述第二半导体元件包括像素单元。

公开(公告)号：CN105047619B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201510187746.2

申请日：2015-04-20

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 何彦仕 ,  何志伟 ,  刘沧宇

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L23/49811 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/093 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06151 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06165 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/4801 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81469 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明揭露一种晶片堆叠封装体及其制造方法。该晶片堆叠封装体包括：至少一第一基底，其具有一第一侧及相对的一第二侧，且包括一凹口及多个重布线层，凹口位于第一基底内且邻接其一侧边，多个重布线层设置于第一基底上且延伸至凹口的一底部；至少一第二基底，设置于第一基底的第一侧；多个焊线，对应设置于凹口内的重布线层上，且延伸至第二基底上；以及至少一装置基底，设置于第一基底的第二侧。本发明可有效降低晶片堆叠封装体的整体尺寸。

公开(公告)号：CN103918354B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201380002511.0

申请日：2013-05-27

申请人： 日本特殊陶业株式会社

发明人： 林贵广 ,  永井诚 ,  伊藤达也 ,  森圣二 ,  若园诚 ,  西田智弘

IPC分类号： H05K1/02 ,  H05K1/18

CPC分类号： H05K3/4007 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/0366 ,  H05K3/28 ,  H05K3/3452 ,  H05K3/4661 ,  H05K3/4688 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2201/09881 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一种配线基板，其中形成于层叠体的最外层的精确和刚性的坝部牢固地保护配线导体，且配线基板与半导体芯片的连接可靠性优异。构成该配线基板（10）的层叠体（31）包括作为最外层的导体层（24）的多个连接端子部（41）和配线导体（62）。配线导体（62）配置在通过用于倒装芯片地安装半导体芯片（51）的多个连接端子部（41）之间的预定位置。层叠体的最外层的树脂绝缘层（23）具有坝部（63）和增强部（64）。坝部（63）覆盖配线导体（62）。增强部（64）形成在配线导体（62）和邻近配线导体（62）的连接端子部（41）之间，且小于坝部（63）的高度（H3）。增强部（64）与坝部（63）的侧面连接。

公开(公告)号：CN103515362B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210384449.3

申请日：2012-10-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 徐君蕾 ,  刘重希 ,  陆德源 ,  何明哲 ,  陈玉芬

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/538 ,  H01L23/488 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15323 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/15333 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3651

摘要： 公开了堆叠式封装(PoP)器件和封装半导体管芯的方法。在一个实施例中，PoP器件包括第一封装管芯和连接到第一封装管芯的第二封装管芯。金属柱连接到第一封装管芯。金属柱具有接近第一封装管芯的第一部分和设置在第一部分上方的第二部分。每一个金属柱连接到接近第二封装管芯的焊接接点。

公开(公告)号：CN102684064B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210070077.7

申请日：2012-03-16

申请人： 西铁城控股株式会社

发明人： 依田薰

IPC分类号： H01S5/02 ,  H01S5/022 ,  G02B6/42

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/7592 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83099 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83208 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  Y10T156/1039 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的目的在于提供一种不管接合用凸出的弹性恢复如何，都可以高精度地进行光学元件之间的光学定位的光模块的制造方法。光模块底(10)上形成由金属构成的接合用凸出(19)；通过施加使上述接合用凸出比上述第1光学元件和上述第2光学元件最高效率地进行光耦合的位置进一步变形那样的规定量(F)的负荷后释放负荷，在上述接合用凸出上接合上述第2光学元件。(1)的制造方法的特征在于具有以下步骤：在衬