公开(公告)号：WO2005055293A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：PCT/JP2004/017934

申请日：2004-12-02

Applicant: 有限会社ボンドテック ,  岡田 益明 ,  中居 誠也

Inventor： 岡田 益明 ,  中居 誠也

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67092 ,  H01L21/76251 ,  H01L23/544 ,  H01L24/26 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701

Abstract: 　被接合物同士の接合面をプラズマにて親水化処理して低温で固層接合する方法において、従来の大気中でハンドリングして接合する方法では、大気中の有機物が付着して接合強度が落ちることから、結局１１００°Cという高温で拡散接合せざるを得ないため、本発明では低温での強固な接合を可能にする。 　被接合物同士の接合面をプラズマにて親水化処理して接合する方法において、両被接合物を原子ビーム、イオンビームまたはプラズマであるエネルギー波により物理処理する物理処理工程の後、大気に暴露することなくプラズマにて親水化処理する化学処理工程を行い、両被接合物を接合することにより、有機物などの付着物なく良好な接合が可能となり、５００°C以下の低温での強固な接合が可能となる。

Abstract translation: 在固相接合方法中，待接合物体的接合表面通过等离子体亲水化并在低温下接合在一起，这些物体通常在大气中处理，因此大气中的有机物质粘附到物体上，从而降低 粘结强度。 因此，通常需要在1100℃的高温下进行扩散接合。 本发明能够在低温下进行强粘结。 一种接合方法，其中待结合物体的接合表面通过等离子体亲水化，其特征在于，通过进行物理处理步骤将物体结合在一起，用于通过诸如原子束，离子等能量波物理处理物体 光束或等离子体，然后进行以下化学处理步骤，用于通过等离子体亲水化物体而不将物体暴露在大气中。 因此，可以在不使有机物等粘附物体的情况下进行良好的接合，从而在不超过500℃的低温下实现强粘合。

公开(公告)号：WO2011032647A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：PCT/EP2010/005422

申请日：2010-09-03

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH ,  WIMPLINGER, Markus

Inventor： WIMPLINGER, Markus

IPC: H01L21/98 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/08 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/74 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80205 ,  H01L2224/80805 ,  H01L2224/80815 ,  H01L2224/8082 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: Verfahren zum Bonden einer Vielzahl von Chips (3) auf einen vorderseitig Chips (3') enthaltenden Basiswafer (1), wobei die Chips (3) in mindestens einer Lage rückseitig des Basiswafers (1) gestapelt werden und zwischen den vertikal benachbarten Chips (3, 3') elektrisch leitfähige Verbindungen (7) hergestellt werden, mit folgenden Schritten: a) Fixieren einer Vorderseite (2) des Basiswafers (1) auf einem Träger (5), b) Platzieren mindestens einer Lage von Chips (3) in definierten Positionen auf einer Rückseite (6) des Basiswafers (1) und c) Wärmebehandlung der Chips (3, 3') auf dem mit dem Träger (5) fixierten Basiswafer (1), dadurch gekennzeichnet, dass vor Schritt c) eine zumindest teilweise Vereinzelung der Chips (3') des Basiswafers (1) in getrennte Chipstapelabschnitte (1 c) des Basiswafers (1) erfolgt.

Abstract translation: 一种用于容纳基底晶片的前侧芯片（3“）上接合多个芯片（3）方法（1），所述芯片（3）在所述基底晶片的背面的至少一个位置（1）被堆叠和垂直相邻的芯片之间（3 ，3“）的导电连接（7）的制备，它具有下列步骤：a）固定前侧（2）上的支撑件（5）的基体晶片（1）的，b）将所定义的芯片（3）的至少一个层 在后侧的位置（6）的基体晶片（1）和c）热固定在（与载体5）基底晶片（1），其特征在于步骤c之前处理的芯片（3，3“））的至少部分地分割 的基底晶片（1）插入所述基底晶片（1）的单独的奇普·斯塔克部分（图1c）的芯片（3“）。

公开(公告)号：WO2012100786A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：PCT/EP2011/000299

申请日：2011-01-25

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GmbH ,  PLACH, Thomas ,  HINGERL, Kurt ,  WIMPLINGER, Markus ,  FLÖTGEN, Christoph

Inventor： PLACH, Thomas ,  HINGERL, Kurt ,  WIMPLINGER, Markus ,  FLÖTGEN, Christoph

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/70 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (3) eines ersten Substrats (1) mit einer zweiten Kontaktfläche (4) eines zweiten Substrats (2) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Ausbildung eines Reservoirs (5) in einer Oberflächenschicht (6) an der ersten Kontaktfläche (3), - zumindest teilweises Auffüllen des Reservoirs (5) mit einem ersten Edukt oder einer ersten Gruppe von Edukten, - Kontaktieren der ersten Kontaktfläche (3) mit der zweiten Kontaktfläche (4) zur Ausbildung einer Pre-Bond-Verbindung, - Ausbildung eines permanenten Bonds zwischen der ersten und zweiten Kontaktfläche (3, 4), zumindest teilweise verstärkt durch Reaktion des ersten Edukts mit einem in einer Reaktionsschicht (7) des zweiten Substrats enthaltenen zweiten Edukt.

Abstract translation: 本发明涉及粘合的第一接触表面（3）的第一基板（1）具有第二接触表面（4）的第二基板（2）包括以下步骤的方法，尤其是以下序列： - 形成的贮存器（5）在一个 第一接触表面（3）上的表面层（6）， - 至少部分地填充（5）具有第一反应物或起始材料的第一组，储存器 - 第一接触表面接触（3）与所述第二接触表面（4），以形成一个 预键合连接， - 在形成第一和第二接触表面（3,4），至少部分地由所述第二反应物的第二基板（7）包含有在反应层中的第一反应物的反应增强之间的永久粘结的。

公开(公告)号：WO2016096025A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：PCT/EP2014/078585

申请日：2014-12-18

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH

Inventor： FEHKÜHRER, Andreas

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/18 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/68 ,  B32B37/10 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L24/80 ,  B32B37/0046 ,  B32B38/1841 ,  B32B38/1858 ,  B32B2309/105 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/187 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/75 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/0224 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75724 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75734 ,  H01L2224/75735 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/8002 ,  H01L2224/80047 ,  H01L2224/80051 ,  H01L2224/80093 ,  H01L2224/80099 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80209 ,  H01L2224/80213 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2221/68304

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden eines ersten Substrats (4) mit einem zweiten Substrat (4'), wobei das erste Substrat (4) und/oder das zweite Substrat (4') vor dem Bonden gedünnt ist/wird. Die Substrate (4, 4') können Wafer, Halbleitersubstrate, metallische Substrate, mineralische Substrate, insbesondere Saphirsubstrate, Glassubstrate oder Polymersubstrate sein. Das erste Substrat (4) und/oder das zweite Substrat (4') werden zum Dünnen und/oder Bonden auf einem auf einer Trägeroberfläche (3o, 3o') eines, insbesondere einen ringförmigen Rahmen (2) aufweisenden, Trägers (3, 3') fixiert. Das erste Substrat (4) und das zweite Substrat (4') werden vor dem Bonden an Hand von korrespondierenden Ausrichtungsmarkierungen der Substrate (4, 4') zueinander ausgerichtet und anschließend, insbesondere magnetisch, vorfixiert. Substratfixierungen weisen jeweils eine Substratfixierfläche (9) zur Fixierung jeweils eines Substrats (4, 4') und jeweils eine die Substratfixierfläche (9) umgebende Trägerfixierfläche (8) oder Trägerfixierbereich zur gegenseitigen Fixierung der Substratfixierungen auf, wobei insbesondere die Trägerfixierfläche (8) oder der Trägerfixierbereich magnetisiert oder magnetisierbar ist, oder alternativ die Substratfixierungen mittels eines Klebers, über Klemmen, über ein Stecksystem oder elektrostatisch miteinander fixierbar sind.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于与第二衬底（4“），其中，所述第一基板（4）和/或所述第二衬底（4”）在接合之前薄化接合第一基底（4）/是。 基板（4，4“）的晶片，半导体衬底，金属基材，矿物基底，特别是蓝宝石基板，玻璃基板或聚合物基板可以是。 在第一基板（4）和/或第二基底（4“）是在支撑表面上的研磨和/或键合（10-30，10-30的”）的，特别是环形框架（2），其具有，载流子（3,3 “）固定。 在第一基板（4）和第二衬底（4“）（相当于基板4的对准标记的，4）在粘接之前手”彼此，然后，特别是磁性，预置对准。 基板注视各自具有Substratfixierfläche（9），用于在每种情况下固定在一个基板（4,4“），每一个所述Substratfixierfläche（9）周围Trägerfixierfläche（8）或Trägerfixierbereich用于基板注视相互固定，其中特别地Trägerfixierfläche（8）或 Trägerfixierbereich磁化或可磁化，或者可替换地，衬底注视通过粘合剂的方式固定在一起，通过端子，连接器系统或静电。

公开(公告)号：WO2016060274A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：PCT/JP2015/079446

申请日：2015-10-19

Applicant: ボンドテック株式会社

Inventor： 山内　朗

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00 ,  B23K20/16 ,  B23K20/24 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L24/83 ,  B23K20/023 ,  B23K20/233 ,  B23K20/24 ,  B23K37/0408 ,  B23K37/047 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/50 ,  H01L21/187 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68735 ,  H01L23/544 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75303 ,  H01L2224/75305 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75724 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/7592 ,  H01L2224/75981 ,  H01L2224/80012 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/8003 ,  H01L2224/80047 ,  H01L2224/8009 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80213 ,  H01L2224/80893 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80908 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83908 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80009 ,  H01L2224/80121

Abstract: 【課題】基板どうしを接合する際に、基板どうしの間でのボイドの発生を防ぐとともに、ひずみを抑制して、高い位置精度で接合する。 【解決手段】第一の基板と第二の基板とを接合する方法であって、前記第一の基板及び前記第二の基板のそれぞれの接合面の表面に水又はＯＨ含有物質を付着させる親水化処理を行う工程と、前記第一の基板と前記第二の基板とを、前記接合面どうしを対向させて配置するとともに、前記第一の基板を、前記接合面の外周部に対して中央部が前記第二の基板側に突出するように撓ませる工程と、前記第一の基板の前記接合面と前記第二の基板の前記接合面とを、前記中央部どうしで突き合わせる工程と、前記中央部どうしが非接合状態を維持する圧力で突き合わせた状態で、前記第一の基板の外周部と前記第二の基板の外周部との距離を縮め、前記第一の基板の前記接合面と前記第二の基板の前記接合面とを全面で突き合わせる突き合わせ工程と、を備える基板どうしの接合方法。

Abstract translation: 为了将基板粘合在一起，防止在基板之间形成空隙，使应变最小化，并且以高位置精度进行接合。 [解决方案]一种将第一基板和第二基板结合在一起的方法，其中所述方法具有：进行亲水处理的步骤，其中使水或含OH物质粘附到各个键合物的表面 第一基板和第二基板的表面; 用于将所述第一基板和所述第二基板布置成使得所述接合表面彼此面对并且使所述第一基板偏转以使得所述中心部分相对于所述接合表面的外周部分朝向所述第二基板侧突出的步骤; 使第一基板的接合面和第二基板的接合面在中心部彼此抵接的步骤; 并且一旦使中心部分在非粘合状态的压力下彼此抵接，则使得第一基板的外周部分与第二基板的外周部分之间的距离减小的邻接步骤 并且使得第一基板的接合表面和第二基板的接合表面在整个表面上彼此邻接。

公开(公告)号：WO2013066455A3

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：PCT/US2012049414

申请日：2012-08-03

Applicant: IBM ,  COONEY EDWARD C ,  DUNN JAMES S ,  MARTIN DALE W ,  MUSANTE CHARLES F ,  RAINEY BETHANN ,  SHI LEATHEN ,  SPROGIS EDMUND J ,  TSANG CORNELIA K

Inventor： COONEY EDWARD C ,  DUNN JAMES S ,  MARTIN DALE W ,  MUSANTE CHARLES F ,  RAINEY BETHANN ,  SHI LEATHEN ,  SPROGIS EDMUND J ,  TSANG CORNELIA K

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/4825 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76819 ,  H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L29/1054 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/804 ,  H01L2224/80487 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/08 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: Methods for bonding substrate surfaces, bonded substrate assemblies, and design structures for a bonded substrate assembly. Device structures (18, 19, 20, 21) of a product chip (25) are formed using a first surface (15) of a device substrate (10). A wiring layer (26) of an interconnect structure for the device structures is formed on the product chip. The wiring layer is planarized. A temporary handle wafer (52) is removably bonded to the planarized wiring layer. In response to removably bonding the temporary handle wafer to the planarized first wiring layer, a second surface (54) of the device substrate, which is opposite to the first surface, is bonded to a final handle substrate (56). The temporary handle wafer is then removed from the assembly.

Abstract translation: 用于粘合基板表面，粘合基板组件以及用于键合衬底组件的设计结构的方法。 使用器件衬底（10）的第一表面（15）形成产品芯片（25）的器件结构（18,19,20,21）。 在产品芯片上形成用于器件结构的互连结构的布线层（26）。 布线层被平坦化。 临时处理晶片（52）可移除地结合到平坦化的布线层。 响应于将临时手柄晶片可移除地结合到平坦化的第一布线层，与第一表面相对的器件基板的第二表面（54）被结合到最终的手柄基板（56）。 然后将临时手柄晶片从组件中取出。

公开(公告)号：WO2013161891A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：PCT/JP2013/062100

申请日：2013-04-24

Applicant: 須賀 唯知 ,  ボンドテック株式会社

Inventor： 須賀　唯知 ,  山内　朗

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K3/32

CPC classification number: H01L25/0652 ,  B23K31/02 ,  B23K37/00 ,  B23K37/0408 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/6836 ,  H01L22/10 ,  H01L23/10 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/74 ,  H01L24/742 ,  H01L24/743 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06134 ,  H01L2224/0615 ,  H01L2224/06177 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14134 ,  H01L2224/1415 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/27009 ,  H01L2224/2755 ,  H01L2224/27823 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/7531 ,  H01L2224/75501 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75802 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/75842 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/8022 ,  H01L2224/8023 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/8101 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8323 ,  H01L2224/83234 ,  H01L2224/83355 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 【課題】接合界面に樹脂などの望ましくない残存物を残さないようにして、チップとウエハとの間又は積層された複数のチップ間の電気的接続を確立し機械的強度を上げる、ウエハ上にチップを効率よく接合する技術を提供すること。 【解決手段】金属領域を有するチップ側接合面を有する複数のチップを、複数の接合部を有する基板に接合する方法が、チップ側接合面の金属領域を、表面活性化処理し、かつ親水化処理するステップ（Ｓ１）と、基板の接合部を表面活性化処理し、かつ親水化処理するステップ（Ｓ２）と、表面活性化処理されかつ親水化処理された複数のチップを、それぞれ、チップの金属領域が基板の接合部に接触するように、表面活性化処理されかつ親水化処理された基板の対応する接合部上に取り付けるステップ（Ｓ３）と、基板と基板上に取り付けられた複数のチップとを含む構造体を加熱するステップ（Ｓ４）とを備える。

Abstract translation: [问题]提供一种用于将晶片高效地接合到晶片而不在接合界面上留下不需要的残留物（例如树脂）的技术，建立芯片和晶片之间或多个分层芯片之间的电连接并增加机械强度。 [解决方案]本发明的用于将包含金属区域的芯片侧接合表面的多个芯片接合到包括多个接合部分的基板的本发明的方法具有以下步骤：（S1）其中芯片的金属区域 接合表面进行表面活化处理和亲水化处理; 步骤（S2），其中对所述基板的接合部进行表面活化处理和亲水化处理; 已经进行表面活化处理和亲水化处理的多个芯片中的每一个被附着到已进行了表面活化处理和亲水化处理的基板上的相应接合部分的步骤（S3） 处理，使得芯片的金属区域与基板的接合部分接触; 以及步骤（S4），其中包括基板和附接到基板的多个芯片的结构被加热。

公开(公告)号：WO2013066455A2

公开(公告)日：2013-05-10

申请号：PCT/US2012/049414

申请日：2012-08-03

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  COONEY, Edward, C. ,  DUNN, James, S. ,  MARTIN, Dale, W. ,  MUSANTE, Charles, F. ,  RAINEY, BethAnn ,  SHI, Leathen ,  SPROGIS, Edmund, J. ,  TSANG, Cornelia, K.

Inventor： COONEY, Edward, C. ,  DUNN, James, S. ,  MARTIN, Dale, W. ,  MUSANTE, Charles, F. ,  RAINEY, BethAnn ,  SHI, Leathen ,  SPROGIS, Edmund, J. ,  TSANG, Cornelia, K.

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/4825 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76819 ,  H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L29/1054 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/804 ,  H01L2224/80487 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/08 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: Methods for bonding substrate surfaces, bonded substrate assemblies, and design structures for a bonded substrate assembly. Device structures (18, 19, 20, 21) of a product chip (25) are formed using a first surface (15) of a device substrate (10). A wiring layer (26) of an interconnect structure for the device structures is formed on the product chip. The wiring layer is planarized. A temporary handle wafer (52) is removably bonded to the planarized wiring layer. In response to removably bonding the temporary handle wafer to the planarized first wiring layer, a second surface (54) of the device substrate, which is opposite to the first surface, is bonded to a final handle substrate (56). The temporary handle wafer is then removed from the assembly.

Abstract translation: 用于粘结衬底表面，键合衬底组件和用于键合衬底组件的设计结构的方法。 使用器件衬底（10）的第一表面（15）形成产品芯片（25）的器件结构（18,19,20,21）。 在产品芯片上形成用于器件结构的互连结构的布线层（26）。 布线层被平坦化。 临时处理晶片（52）可移除地结合到平坦化的布线层。 响应于将临时手柄晶片可移除地结合到平坦化的第一布线层，与第一表面相对的器件基板的第二表面（54）被结合到最终的手柄基板（56）。 然后将临时手柄晶片从组件中取出。