公开(公告)号：CN102820290A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210159141.9

申请日：2012-05-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  郑心圃 ,  侯上勇 ,  谢政杰 ,  许国经 ,  施应庆 ,  蔡柏豪 ,  高金福 ,  黄震麟 ,  林俊成

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/04 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13578 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及封装集成电路的连接件设计，其中涉及一种器件，该器件包括具有顶面的顶部介电层。金属柱具有位于顶部介电层的顶面上方的部分。非润湿的层形成在金属柱的侧壁上，其中，非润湿的层不可被熔化的焊料湿润。焊料区域被设置在金属柱上方并且与其电连接。

公开(公告)号：CN102810522A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210159351.8

申请日：2012-05-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  郑心圃 ,  侯上勇 ,  许国经 ,  谢政杰 ,  施应庆 ,  蔡柏豪 ,  黄震麟 ,  林俊成

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/04 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13578 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00

摘要： 一种封装元件其中没有有源器件。该封装元件包括：基板；通孔，位于基板中；顶部介电层，位于基板上方；以及金属柱，具有位于顶部介电层的顶面上方的顶面。该金属柱电连接到通孔。扩散势垒层位于该金属柱顶面上方。焊帽设置在该扩散势垒层上方。本发明还提供了封装结构和方法。

公开(公告)号：CN102642095A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210035680.1

申请日：2012-02-16

申请人： 富士通株式会社

发明人： 山上高丰 ,  久保田崇 ,  石川邦子 ,  北嶋雅之

IPC分类号： B23K35/24 ,  B23K35/36 ,  B23K1/00 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  B22F1/0014 ,  B22F1/025 ,  B23K35/262 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  C22C9/00 ,  C23C24/106 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49883 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11502 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13613 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13709 ,  H01L2224/13711 ,  H01L2224/13713 ,  H01L2224/13809 ,  H01L2224/13811 ,  H01L2224/13813 ,  H01L2224/13839 ,  H01L2224/13844 ,  H01L2224/13847 ,  H01L2224/13899 ,  H01L2224/13913 ,  H01L2224/13939 ,  H01L2224/13944 ,  H01L2224/13947 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81055 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81509 ,  H01L2224/81511 ,  H01L2224/81513 ,  H01L2224/81639 ,  H01L2224/81644 ,  H01L2224/81647 ,  H01L2224/81699 ,  H01L2224/81711 ,  H01L2224/81713 ,  H01L2224/81739 ,  H01L2224/81744 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/053 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种导电接合材料、接合导体的方法及制造半导体器件的方法，所述导电接合材料包括如下的金属组分：高熔点金属粒子，其具有第一熔点或更高的熔点；中熔点金属粒子，其具有第二熔点，所述第二熔点为第一温度或更高以及第二温度或更低，所述第二温度低于第一熔点且高于第一温度；以及低熔点金属粒子，其具有第三熔点或更低的熔点，所述第三熔点低于第一温度。

公开(公告)号：CN1877989A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610088762.7

申请日：2006-06-05

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 伊东春树 ,  桥元伸晃

IPC分类号： H03H9/25

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H03H9/0547 ,  H03H9/0552 ,  H03H9/1071 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01023

摘要： 一种半导体装置，包括：半导体基板，具有第一面、和与所述第一面相反的一侧的第二面；外部连接端子，形成于所述半导体基板的所述第一面上；第一电极，形成于所述半导体基板的所述第一面上，且与所述外部连接端子电连接；电子元件，形成于所述半导体基板的所述第二面上或者上方；第二电极，电连接于所述电子元件，且具有表面与背面；槽部，形成于所述半导体基板的所述第二面，且具有包含所述第二电极的所述背面的至少一部分的底面；以及导电部，形成于所述槽部的内部，且与所述第二电极的所述背面电连接。

公开(公告)号：CN1423315A

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：CN02154002.0

申请日：2002-12-03

申请人： 夏普公司

发明人： 西川昌孝

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  G06K19/077

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/564 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0566 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85148 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01404

摘要： 一种半导体模块,它包含:由其二面上制作有导体图形的绝缘体制成的印刷电路板。IC芯片被安装在印刷电路板上并用树脂密封。金属片或潮气渗透阻挡片被粘合在与面对印刷电路板一面相反的IC芯片表面上。

公开(公告)号：CN108376675A

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201810073357.0

申请日：2018-01-25

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 渡边健雅 ,  武直矢 ,  儿玉幸雄

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05076 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05188 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/4502 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，可抑制铝溅出。半导体装置具有：电极焊盘，配置在半导体基板的上部；及引线，接合于上述电极焊盘且含有铜。上述电极焊盘具有含有铝的电极层和比上述引线及上述电极层硬的支撑层。上述引线与上述电极层及上述支撑层接触。通过上述支撑层来支撑上述引线，抑制了上述电极层的变形。由此，可抑制铝溅出。

公开(公告)号：CN107452706A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710361409.X

申请日：2017-05-19

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 岸新 ,  圆尾弘树

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/603

CPC分类号： H01L24/13 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/264 ,  C22C12/00 ,  C22C28/00 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/0549 ,  H05K1/111 ,  H05K1/181 ,  H05K3/3457 ,  H05K2201/0326 ,  H01L23/498 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/03

摘要： 本发明提供一种电路部件的连接构造以及连接方法。电路部件的连接构造具备：具有配备了第1电极的第1主面的第1电路部件、具有配备了第2电极的第2主面的第2电路部件、以及介于第1主面与所述第2主面之间的接合部，接合部具有将第1电极与第2电极电连接的焊料部，焊料部包含铋-铟合金，在铋-铟合金中，所述铋-铟合金中包含的铋的量超过20质量％且为80质量％以下。

公开(公告)号：CN106486446A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610730801.2

申请日：2016-08-26

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 矢岛明

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L22/32 ,  G11C29/06 ,  G11C29/48 ,  G11C2029/5602 ,  H01L21/324 ,  H01L21/47635 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48138 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： 提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置，在半导体装置的测试中抑制焊锡接合不良而提高测试的可靠性。半导体装置的制造方法中，准备具有具备第一罩膜(2r)的第一焊盘电极(2aa)和具备第二罩膜(2t)的第二焊盘电极(2ab)的半导体晶圆(1)，而且形成在第一焊盘电极(2aa)上具有第一开口且在第二焊盘电极(2ab)上具有第二开口的聚酰亚胺层(2d)，然后形成经由第二开口与第二焊盘电极(2ab)连接的再配置布线(2e)。接着，以在第一焊盘电极(2aa)及再配置布线(2e)的凸块台(2ac)留下有机反应层(2ka、2kb)的方式在聚酰亚胺层(2f)形成开口，对半导体晶圆(1)实施热处理，然后在再配置布线(2e)上形成凸块。

公开(公告)号：CN102867847B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210233277.X

申请日：2012-07-05

申请人： 索尼公司

发明人： 香川恵永 ,  青柳健一 ,  萩本贤哉 ,  藤井宣年

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L23/522 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/1469 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2224/02245 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80091 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80345 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/83345 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H04N5/369 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明公开了半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置。所述半导体器件包括第一基板和第二基板。所述第一基板包括第一电极以及第一绝缘膜，所述第一绝缘膜由针对所述第一电极的防扩散材料构成并覆盖所述第一电极的周边。所述第一电极与所述第一绝缘膜互相配合而构成结合表面。所述第二基板结合至所述第一基板并设置于所述第一基板上，且所述第二基板包括第二电极以及第二绝缘膜，所述第二电极接合至所述第一电极，所述第二绝缘膜由针对所述第二电极的防扩散材料构成并覆盖所述第二电极的周边。所述第二电极与所述第二绝缘膜互相配合而构成与所述第一基板相结合的结合表面。本发明能够确保电极的结合强度，同时能够防止电极材料的扩散。

公开(公告)号：CN105144359A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480014639.3

申请日：2014-02-20

申请人： 甲骨文国际公司

发明人： H·D·塞科 ,  A·V·克里什纳莫西 ,  J·E·坎宁安 ,  张朝齐

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  B23K3/06 ,  H01L21/02 ,  H01L25/065 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L24/14 ,  B23K3/0623 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/296 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/74 ,  H01L24/81 ,  H01L24/98 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/11015 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/742 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2224/05552

摘要： 描述了多芯片模块(MCM)。这种MCM包括至少两个基板，其中基板通过基板的面对的表面上的阳性特征和阴性特征机械耦合并对准。这些阳性特征和阴性特征可以彼此配对并自锁定。阳性特征可以利用阴性特征中的亲水层自填充到至少一个基板上的阴性特征中。这种亲水层可以结合包围至少一个基板的顶表面上的阴性特征的疏水层来使用。